CVD SiC Fin

Semicorex CVD SiC Fin je hrubá zložka z pevného karbidu kremíka s vysokou hustotou vyrábaná spoločnosťou Chemical Vapor Deposition, určená pre plazmové a ultravysokoteplotné polovodičové aplikácie vyžadujúce výnimočnú čistotu, trvanlivosť a odolnosť proti korózii. Semicorex dodáva pokročilé CVD komponenty z karbidu kremíka výrobcom polovodičových zariadení na celom svete, pričom poskytuje prispôsobené riešenia, presné inžinierstvo a spoľahlivé globálne dodávky pre najnáročnejšie procesné prostredia.*

Odoslať dopyt

Popis produktu

Keďže sa polovodičové zariadenia naďalej vyvíjajú smerom k menším geometriám a vyšším úrovniam integrácie, procesné zariadenia musia pracovať v čoraz náročnejších podmienkach. Plazmové leptanie, pokročilé nanášanie a vysokoteplotné výrobné prostredia vystavujú komponenty komory extrémnemu tepelnému namáhaniu, agresívnym reaktívnym plynom a vysokoenergetickému bombardovaniu iónmi.

Na splnenie týchto výziev ponúka Semicorex CVD SiC Fin, pevný komponent z karbidu kremíka s vysokou hustotou vyrobený pomocou pokročilej technológie chemického nanášania z plynnej fázy (CVD). Na rozdiel od bežných tenkovrstvových povlakov SiC, ktoré zvyčajne merajú len niekoľko desiatok alebo stoviek mikrónov, je CVD SiC Fin podstatne hrubšia, úplne hustá štruktúra karbidu kremíka s hrúbkami od 500 μm do 10 000 μm.

Táto jedinečná konštrukcia umožňuje vynikajúcu odolnosť, dlhšiu životnosť a výnimočný výkon v niektorých z najnáročnejších prostredí spracovania polovodičov.

Čím sa CVD SiC Fin líši?

Mnohé polovodičové súčiastky sa spoliehajú na ochranu z grafitu potiahnutého SiC alebo tenkých vrstiev SiC. Zatiaľ čo tieto riešenia fungujú dobre v miernych procesných podmienkach, ťažké vystavenie plazme a predĺžené prevádzkové cykly často vyžadujú robustnejší materiálový systém.

CVD SiC Fin sa vyrába skôr ako hrubé telo z karbidu kremíka s vysokou čistotou než ako jednoduchý povrchový náter. Výsledná štruktúra poskytuje:

Výrazne väčšia hrúbka materiálu

Vyššia štrukturálna integrita

Vynikajúca odolnosť proti plazmovej erózii

Dlhšia prevádzková životnosť

Vylepšená rozmerová stabilita

Znížené riziko kontaminácie

Výrobná zložitosť tlCVD SiC komponentyje podstatne vyššia ako u štandardných tenkovrstvových produktov, najmä pri výrobe zložitých geometrií a presných prvkov.

Hustá SiC štruktúra s vysokou čistotou

Proces nanášania CVD vytvára výnimočne hustý a rovnomerný materiál karbidu kremíka s minimálnou pórovitosťou a vynikajúcou čistotou.

Medzi hlavné vlastnosti materiálu patria:

Zloženie SiC s mimoriadne vysokou čistotou
Vysoká hustota a nízka pórovitosť
Vynikajúca chemická inertnosť
Vynikajúca tepelná stabilita
Vynikajúca odolnosť proti korózii
Extrémne nízka tvorba častíc

Tieto vlastnosti sú kritické pre prostredie výroby polovodičov, kde kontaminácia procesu môže priamo ovplyvniť výkon zariadenia a výnos výroby.

Výnimočný výkon v plazmovom prostredí

Moderné procesy leptania generujú vysoko reaktívne plazmové druhy schopné časom napadnúť konvenčné materiály. Komponenty vystavené plazme musia vydržať nepretržité bombardovanie pri zachovaní rozmerovej presnosti a celistvosti povrchu.

CVD SiCFin poskytuje výnimočnú odolnosť voči:

Plazmochémia na báze fluóru

Prostredie leptania na báze chlóru

Iónové bombardovanie

Chemická korózia

Tepelné cyklovanie

Jeho hustá mikroštruktúra výrazne znižuje degradáciu materiálu a pomáha udržiavať stabilné podmienky procesu počas dlhých výrobných sérií.

Vďaka tomu je tento materiál obzvlášť cenný pri výrobe pokročilých integrovaných obvodov, kde je kritická opakovateľnosť procesu a doba prevádzkyschopnosti zariadenia.

Navrhnuté pre aplikácie s ultravysokou teplotou

Okrem odolnosti voči plazme, CVD SiC Fin funguje mimoriadne dobre v extrémnych tepelných podmienkach.

Karbid kremíka je známy svojou schopnosťou zachovať si mechanickú pevnosť a rozmerovú stabilitu pri teplotách, ktoré by boli výzvou pre mnohé konvenčné inžinierske materiály.