Nosiče grafitových plátkov potiahnutých SiC

Pri výrobe polovodičových doštičiek je potrebné, aby na doštičkovom substráte narástla eptaxná vrstva, aby sa polovodičové zariadenia mohli vyrábať v nasledujúcich krokoch. Ako nenahraditeľná spotrebná zložka v epitaxnom procese plátku, ktorý sa priamo dotýka substrátu plátku, má výkonnosť grafitových plátkových nosičov potiahnutých SiC významný vplyv na rovnomernosť a čistotu rastu epitaxného materiálu. Z tohto dôvodu je pre používateľov kľúčové vybrať si optimálny nosič grafitových plátkov potiahnutý SiC.

Prijatie vysoko čistého grafitu na výrobu základne plátkových nosičov a použitie uniformyCVD SiC povlaks cieľom poskytnúť nosiču plátkov „ochranné pancierovanie“ sa Semicorex venuje ponúkaniu vysokokvalitného grafitového plátkového nosiča potiahnutého SiC, ktorý je schopný poskytnúť spoľahlivú štrukturálnu podporu plátkovým substrátom v náročných epitaxiálnych procesoch, čím zaisťuje stabilný a spoľahlivý rast epitaxných materiálov.

1. Prémiová grafitová základňa

Odpoveď: Grafitová základňa má vynikajúcu tepelnú vodivosť, ktorá umožňuje rýchlu a rovnomernú distribúciu tepla počas epitaxných procesov.

B. Vďaka relatívne nízkemu koeficientu tepelnej rozťažnosti môže grafitový základ zabezpečiť našeNosiče grafitových doštičiek potiahnuté SiCvydržia časté tepelné cykly bez ľahkej deformácie.

C. Grafitové materiály sa môžu pochváliť vynikajúcou mechanickou pevnosťou, takže naše nosiče grafitových plátkov potiahnutých SiC sú schopné bezpečne podporovať plátkové substráty počas dlhodobých epitaxných aplikácií.

2. Spoľahlivý povlak CVD SiC

A. Ultra vysoká čistota

Čistota povlaku CVD SiC môže dosiahnuť úroveň ppb, čo minimalizuje kontamináciu medzi nosičom plátku a substrátom plátku, čím plne spĺňa prísne požiadavky na čistotu polovodičového priemyslu.

B. Spoľahlivá ochrana

CVD SiC povlak má hustú štruktúru a je schopný úplne izolovať grafitovú základňu od vysokoteplotného a vysokokorozívneho prostredia a účinne inhibovať chemickú koróziu a oxidáciu grafitovej základne, čím zabezpečuje spoľahlivú prevádzku nášho nosiča grafitových plátkov potiahnutých SiC v dlhodobej prevádzke.

C. Silná lepiaca sila

CVD SiC povlak poskytuje výnimočnú tepelnú vodivosť a podobnú tepelnú rozťažnosť ako grafitový základ. Vykazuje silnú pevnosť spojenia s grafitovým základom a je menej náchylný na praskanie alebo odlupovanie aj pri dramatických zmenách teploty.