TaC povlak

TaC keramika má bod topenia až 3880°C, vysokú tvrdosť (tvrdosť podľa Mohsa 9-10), veľkú tepelnú vodivosť (22W·m^-1·K⁻¹), veľká pevnosť v ohybe (340-400MPa) a malý koeficient tepelnej rozťažnosti (6,6×10^-6K-1), a vykazujú vynikajúcu termochemickú stabilitu a vynikajúce fyzikálne vlastnosti, takže povlaky TaC sú široko používané v leteckom priemysle tepelnej ochrany a grafitové a C / C kompozity majú dobrú chemickú kompatibilitu a mechanickú kompatibilitu. ), a vykazujú vynikajúcu termochemickú stabilitu a vynikajúce fyzikálne vlastnosti a grafitové a C/C kompozity majú dobrú chemickú kompatibilitu a mechanickú kompatibilitu, takže povlaky TaC sa široko používajú v leteckom priemysle, tepelnej ochrane, raste monokryštálov, energii a elektronike a lekárskych zariadeniach, atď. Grafit potiahnutý TaC má lepšiu chemickú odolnosť ako nekrytý grafit alebo grafit potiahnutý SiC a môže sa používať stabilne pri vysokej teplote 2600°. 2600 ° vysoká teplotná stabilita a mnohé kovové prvky nereagujú, je treťou generáciou scenárov rastu polovodičových monokryštálov a leptania plátkov pri najlepšom výkone povlaku, môže výrazne zlepšiť proces kontroly teploty a nečistôt, prípravu vysokých -kvalitné doštičky z karbidu kremíka a súvisiace epitaxné doštičky. Je obzvlášť vhodný pre zariadenia MOCVD na pestovanie monokryštálov GaN alebo AlN a zariadenia PVT na pestovanie monokryštálov SiC, pričom kvalita pestovaných monokryštálov sa výrazne zlepšuje.

Podľa výsledkov výskumuTaC povlak môže pôsobiť ako ochranná a izolačná vrstva na predĺženie životnosti grafitových komponentov, zlepšenie rovnomernosti radiálnej teploty, zachovanie sublimačnej stechiometrie SiC, potlačenie migrácie nečistôt a zníženie spotreby energie. V konečnom dôsledku sa od súpravy téglikov potiahnutých TaC očakáva, že zlepší riadenie procesu SiC PVT a kvalitu produktu.