Keramika z karbidu kremíka ponúka množstvo výhod v priemysle optických vlákien, vrátane vysokoteplotnej stability, nízkeho koeficientu tepelnej rozťažnosti, nízkeho prahu strát a poškodenia, mechanickej pevnosti, odolnosti proti korózii, dobrej tepelnej vodivosti a nízkej dielektrickej konštanty. Vď......
Čítaj viacHistória karbidu kremíka (SiC) siaha až do roku 1891, kedy ho náhodou objavil Edward Goodrich Acheson pri pokuse o syntézu umelých diamantov. Acheson zahrieval zmes ílu (hlinitokremičitanu) a práškového koksu (uhlík) v elektrickej peci. Namiesto očakávaných diamantov získal jasne zelený kryštál priľ......
Čítaj viacRast kryštálov je základným článkom pri výrobe substrátov z karbidu kremíka a hlavným zariadením je pec na rast kryštálov. Podobne ako v prípade tradičných pecí na rast kryštálov na báze kryštalického kremíka nie je štruktúra pece príliš zložitá a pozostáva hlavne z telesa pece, vykurovacieho systém......
Čítaj viacPolovodičové materiály tretej generácie so širokým pásmovým odstupom, ako je nitrid gália (GaN) a karbid kremíka (SiC), sú známe svojou výnimočnou optoelektronickou konverziou a schopnosťou prenosu mikrovlnného signálu. Tieto materiály spĺňajú náročné požiadavky vysokofrekvenčných, vysokoteplotných,......
Čítaj viacSiC čln, skratka pre čln z karbidu kremíka, je príslušenstvo odolné voči vysokej teplote, ktoré sa používa v rúrach pecí na prenášanie plátkov pri vysokoteplotnom spracovaní. Vďaka vynikajúcim vlastnostiam karbidu kremíka, ako je odolnosť voči vysokým teplotám, chemická korózia a vynikajúca tepelná ......
Čítaj viacV súčasnosti väčšina výrobcov substrátov SiC používa nový návrh procesu tepelného poľa v tégliku s valcami z porézneho grafitu: medzi grafitovú stenu téglika a porézny grafitový valec sa umiestňujú vysoko čisté časticové suroviny SiC, pričom sa prehlbuje celý téglik a zväčšuje sa priemer téglika.
Čítaj viac