Novinky spoločnosti

Aké sú technické ťažkosti s rastovou pecou SIC Crystal

Kryštálová rastová pec je základným zariadením pre rast kryštálov karbidu kremíka. Je podobná tradičnej kryštalickej kryštálovej rastovej peci s kryštalickým kremíkom. Konštrukcia pece nie je príliš komplikovaná. Je zložená hlavne zo telesa pecí, vykurovacieho systému, mechanizmu prenosu cievok, vák......

Čo je sklenené uhlíkové povlaky

Semicorex ponúka vysoko kvalitnú tepelnú izoláciu a sklenený uhlíkový povlak.

Čo je to fiktívna oblátka?

V procese výroby polovodičov tvoria doštičky základ výroby čipov. Spomedzi nich hrá kľúčovú úlohu pri zabezpečovaní stability zariadenia a kontrole výrobných nákladov špeciálny typ plátku, označovaný ako Dummy Wafer.

Hierarchické porézne uhlíkové materiály: Syntéza a úvod

Syntetizujúci prášok z karbidu kremíka s vysokou čistotou

Prášok z karbidu kremíka s vysokou čistotou sa vyznačuje výnimočnou charakteristikou širokého pásma, vďaka čomu je ideálnym materiálom na výrobu vysokofrekvenčných elektronických zariadení s vysokým výkonom.

Proces PECVD

Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) je široko používaná technológia pri výrobe čipov. Využíva kinetickú energiu elektrónov v plazme na aktiváciu chemických reakcií v plynnej fáze, čím sa dosiahne depozícia tenkého filmu.