Rezanie SiC

Karbid kremíka (SiC)je veľmi obľúbený v polovodičovom priemysle pre svoje vynikajúce fyzikálne a chemické vlastnosti. Avšak vysoká tvrdosť a krehkosťSiCpredstavujú značné problémy pri jeho spracovaní.

Rezanie diamantovým drôtom je bežne používanéSiCmetóda rezania a je vhodná na prípravu veľkých SiC doštičiek.

Výhoda:

Vysoká účinnosť: Vďaka vysokej rýchlosti rezania sa technológia rezania diamantovým drôtom stala preferovanou metódou pre hromadnú výrobu veľkých SiC doštičiek, čo výrazne zlepšuje efektivitu výroby.

Nízke tepelné poškodenie: V porovnaní s tradičnými metódami rezania vytvára rezanie diamantovým drôtom počas prevádzky menej tepla, čím sa účinne znižuje tepelné poškodenie kryštálov SiC a zachováva sa integrita materiálu.

Dobrá kvalita povrchu: Drsnosť povrchu SiC doštičky získanej po rezaní je nízka, čo poskytuje dobrý základ pre následné brúsenie a leštenie a pomáha dosiahnuť vyššiu kvalitu povrchovej úpravy.

nedostatok:

Vysoké náklady na zariadenie: Zariadenie na rezanie diamantovým drôtom vyžaduje vysoké počiatočné investície a vysoké sú aj náklady na údržbu, čo môže zvýšiť celkové výrobné náklady.

Strata drôtu: Diamantový drôt sa počas procesu nepretržitého rezania opotrebuje a je potrebné ho pravidelne vymieňať, čo nielen zvyšuje náklady na materiál, ale zvyšuje aj pracovné zaťaženie údržby.

Obmedzená presnosť rezu: Hoci rezanie diamantovým drôtom funguje dobre v bežných aplikáciách, jeho presnosť rezania nemusí spĺňať prísnejšie požiadavky tam, kde je potrebné spracovať zložité tvary alebo mikroštruktúry.

Napriek niektorým výzvam zostáva technológia rezania diamantovým drôtom výkonným nástrojom pri výrobe doštičiek SiC. Keďže technológia neustále napreduje a zlepšuje sa nákladová efektívnosť, očakáva sa, že táto metóda bude hrať väčšiu úlohuSiC oblátkaspracovanie v budúcnosti.