Infineon predstavuje prvý 300 mm Power GaN Wafer na svete

Nedávno spoločnosť Infineon Technologies oznámila úspešný vývoj celosvetovo prvého 300 mm výkonového gálium nitridového (GaN) plátkového plátku. Vďaka tomu sú prvou spoločnosťou, ktorá zvládla túto prelomovú technológiu a dosiahla masovú výrobu v existujúcich rozsiahlych a veľkokapacitných výrobných prostrediach. Táto inovácia predstavuje významný pokrok na trhu výkonových polovodičov založených na GaN.

Ako sa porovnáva 300 mm technológia s 200 mm technológiou?

V porovnaní s 200 mm technológiou umožňuje použitie 300 mm waferov výrobu 2,3-krát viac GaN čipov na wafer, čo výrazne zvyšuje efektivitu výroby a výstup. Tento prelom nielen upevňuje vedúce postavenie spoločnosti Infineon v oblasti energetických systémov, ale tiež urýchľuje rýchly vývoj technológie GaN.

Čo povedal generálny riaditeľ spoločnosti Infineon o tomto úspechu?

Generálny riaditeľ spoločnosti Infineon Technologies Jochen Hanebeck uviedol: „Tento pozoruhodný úspech demonštruje našu robustnú silu v oblasti inovácií a je dôkazom neúnavného úsilia nášho globálneho tímu. Pevne veríme, že tento technologický prielom pretvorí priemyselné normy a odomkne plný potenciál technológie GaN. Takmer rok po našej akvizícii GaN Systems opäť ukazujeme naše odhodlanie viesť na rýchlo rastúcom trhu GaN. Ako líder v oblasti energetických systémov získal Infineon konkurenčnú výhodu v troch kľúčových materiáloch: kremík, karbid kremíka a GaN.

Generálny riaditeľ spoločnosti Infineon Jochen Hanebeck vlastní jeden z prvých 300 mm doštičiek GaN Power na svete vyrobených v existujúcom a škálovateľnom veľkoobjemovom výrobnom prostredí

Prečo je 300 mm GaN technológia výhodná?

Jednou z významných výhod technológie 300 mm GaN je to, že ju možno vyrábať pomocou existujúcich zariadení na výrobu 300 mm kremíka, pretože GaN a kremík majú podobné výrobné procesy. Táto funkcia umožňuje spoločnosti Infineon bezproblémovo integrovať technológiu GaN do svojich súčasných produkčných systémov, čím sa urýchli prijatie a aplikácia technológie.

Kde Infineon úspešne vyrobil 300 mm GaN doštičky?

V súčasnosti Infineon úspešne vyrába 300 mm doštičky GaN na existujúcich 300 mm kremíkových výrobných linkách vo svojej elektrárni vo Villachu v Rakúsku. Stavajúc na zavedenom základe 200 mm GaN technológie a 300 mm výroby kremíka spoločnosť ďalej rozšírila svoje technologické a výrobné možnosti.

Čo tento prelom znamená pre budúcnosť?

Tento prielom nielen zdôrazňuje silné stránky spoločnosti Infineon v oblasti inovácií a rozsiahlych výrobných kapacít, ale tiež kladie pevný základ pre budúci rozvoj odvetvia výkonových polovodičov. Ako sa technológia GaN neustále vyvíja, Infineon bude aj naďalej ťahať rast trhu a ďalej posilňovať svoju vedúcu pozíciu v globálnom polovodičovom priemysle.**