6'' Wafer Carrier pre Aixtron G5

Semicorex 6'' Wafer Carrier pre Aixtron G5, často označovaný ako susceptory, hrá zásadnú úlohu tým, že bezpečne drží polovodičové doštičky počas vysokoteplotného spracovania. Susceptory zaisťujú, že doštičky zostanú v pevnej polohe, čo je kľúčové pre rovnomerné nanášanie vrstiev:

Tepelný manažment:

6'' Wafer Carrier pre Aixtron G5 je navrhnutý tak, aby poskytoval rovnomerné zahrievanie a chladenie na povrchu plátku, čo je rozhodujúce pre procesy epitaxného rastu používané na vytváranie vysokokvalitných polovodičových vrstiev.

Epitaxný rast:

SiC a GaN vrstvy:

Platforma Aixtron G5 sa primárne používa na epitaxný rast vrstiev SiC a GaN. Tieto vrstvy sú základom pri výrobe tranzistorov s vysokou elektrónovou mobilitou (HEMT), LED diód a iných pokročilých polovodičových zariadení.

Presnosť a jednotnosť:

Vysoká presnosť a rovnomernosť vyžadovaná v procese epitaxného rastu je uľahčená výnimočnými vlastnosťami 6'' nosiča plátkov pre Aixtron G5. Nosič pomáha dosiahnuť prísnu jednotnosť hrúbky a zloženia, ktorá je potrebná pre vysokovýkonné polovodičové zariadenia.

Výhody:

Stabilita pri vysokej teplote:

Tolerancia extrémnych teplôt:

6'' Wafer Carrier pre Aixtron G5 vydrží extrémne vysoké teploty, často presahujúce 1600 °C. Táto stabilita je rozhodujúca pre epitaxné procesy, ktoré si vyžadujú dlhodobé vysoké teploty.

Tepelná integrita:

Schopnosť 6'' Wafer Carrier pre Aixtron G5 zachovať štrukturálnu integritu pri takých vysokých teplotách zaisťuje konzistentný výkon a znižuje riziko tepelnej degradácie, ktorá by mohla ohroziť kvalitu polovodičových vrstiev.

Vynikajúca tepelná vodivosť:

Distribúcia tepla:

Vysoká tepelná vodivosť SiC uľahčuje efektívny prenos tepla cez povrch plátku a zabezpečuje rovnomerný teplotný profil. Táto uniformita je životne dôležitá na zabránenie tepelným gradientom, ktoré môžu viesť k defektom a nerovnomernostiam v epitaxných vrstvách.

Vylepšené riadenie procesu:

Vylepšený tepelný manažment umožňuje lepšiu kontrolu nad procesom epitaxného rastu, čo umožňuje výrobu kvalitnejších polovodičových vrstiev s menším počtom defektov.

Chemická odolnosť:

Kompatibilita s korozívnym prostredím:

6'' Wafer Carrier pre Aixtron G5 poskytuje výnimočnú odolnosť voči korozívnym plynom bežne používaným v CVD procesoch, ako je vodík a amoniak. Táto odolnosť predlžuje životnosť nosičov doštičiek tým, že chráni grafitový substrát pred chemickým napadnutím.

Znížené náklady na údržbu:

Odolnosť 6'' Wafer Carrier pre Aixtron G5 znižuje frekvenciu údržby a výmen, čo vedie k nižším prevádzkovým nákladom a dlhšej dobe prevádzky zariadenia Aixtron G5.

Nízky koeficient tepelnej rozťažnosti (CTE):

Minimálny tepelný stres:

Nízke CTE SiC pomáha minimalizovať tepelný stres počas rýchlych cyklov zahrievania a chladenia, ktoré sú vlastné procesom epitaxného rastu. Toto zníženie tepelného napätia znižuje pravdepodobnosť prasknutia alebo deformácie plátku, čo môže viesť k poruche zariadenia.

Kompatibilita s vybavením Aixtron G5:

Dizajn na mieru:

Semicorex 6'' Wafer Carrier pre Aixtron G5 je špeciálne navrhnutý tak, aby bol kompatibilný so zariadením Aixtron G5, čo zaisťuje optimálny výkon a bezproblémovú integráciu.

Maximálny výkon:

This compatibility maximizes the performance and efficiency of the Aixtron G5 system, enabling it to meet the exacting requirements of modern semiconductor manufacturing processes.