Hliníkový nitridový substrát

Definície semicorexu hliníkových nitridových substrátov poukazujú na šablóny nitridu na báze kremíka. Ako sa rozvíja éra 5G, vysokofrekvenčné aplikácie rýchlo naberajú dynamiku. Rozšírenie a vývoj sietí 5G tlačia požiadavky na čoraz viac frekvenčných pásiem spolu s vyššími prevádzkovými frekvenciami. Vlna má zo svojej časti proporcionálne zvýšené požiadavky v množstve a kvalite RF filtrov. Povolenie vysokovýkonného priemyslu výroby filtrov RF je nevyhnutnou požiadavkou na materiály piezoelektrických substrátov, ktoré majú vysokú kvalitu.

Ultra široký bandgap polovodičový hliníkový nitridový substráty je materiálom s obrovským aplikačným potenciálom v dôsledku mnohých vynikajúcich vlastností, ako potenciálny materiál na pokročilé použitie v elektronike a optoelektronike. Bandgap až 6,2 eV demonštruje požiadavku na pevnosť pre vysoké rozkladanie poľa, vysoký nasýtenie elektrónového driftu, chemická a tepelná stabilita. ako aj vynikajúca tepelná vodivosť a odolnosť proti žiareniu. Tieto charakteristiky robia ALN nevyhnutným materiálom vo vysoko výkonných elektronických zariadeniach, najmä v komunikačných technológiách 5G.

V porovnaní s tradičnými piezoelektrickými materiálmi, ako je oxid zinočnatý (ZnO), titanitán zirkonátu olova (PZT) a lítium -tantalát/lítium niobate (LT/LN), vykazujú substráty nitridu hlinitého hlinitého hlinitého. Tieto vlastnosti zahŕňajú vysoký elektrický odpor, vynikajúcu tepelnú vodivosť, vynikajúcu stabilitu a rýchlosť šírenia akustických vĺn ultra nadšená. Konkrétne rýchlosť pozdĺžnej vlny ALN dosahuje približne 11 000 m/s, zatiaľ čo rýchlosť priečnej vlny je okolo 6 000 m/s. Tieto charakteristiky umiestnia ALN ako jeden z najviac ideálnych piezoelektrických materiálov pre vysoko výkonné povrchové akustické vlny (SIL), objemové akustické vlny (BAW) a Filter RF Filters (FBAR).

Substráty nitridu hliníka sú primárne navrhnuté pre trh piezoelektrických materiálov v 5G RF front-end filtre. Kvalita a kľúčové parametre tohto produktu boli dôsledne testované a overené autoritatívnymi inštitúciami tretích strán a hodnoteniami spracovania na úrovni oblátok. Tieto hodnotenia potvrdili, že produkt spĺňa a dokonca prekračuje medzinárodné normy. Okrem toho už bola vytvorená technológia potrebná na veľkú výrobu, čím sa zabezpečila stabilná hromadná výroba a ponuka, aby vyhovovala požiadavkám na trhu.

Nasadenie sietí 5G si vyžaduje použitie vysoko efektívnych a spoľahlivých RF filtrov na zvládnutie zvyšujúceho sa počtu frekvenčných pásiem. ALN substráty hrajú rozhodujúcu úlohu pri výrobe filtrov SAW, BaW a FBAR, ktoré sú základnými komponentmi v RF front-end moduloch. Tieto filtre umožňujú presný výber frekvencie, zosilnenie signálu a zníženie interferencie, čím sa zabezpečuje hladký a vysokorýchlostný prenos údajov v 5G komunikačných zariadeniach, ako sú smartfóny, základné stanice a aplikácie IoT.

Okrem toho sa substráty nitridu hliníka neobmedzujú iba na RF filtre. Majú tiež sľubné aplikácie v oblasti energetiky, vysokofrekvenčných tranzistorov, optoelektronických zariadení a satelitnej komunikácie. Ich schopnosť odolávať vysokému napätiu a pracovať v extrémnych podmienkach z nich robí atraktívnu voľbu pre elektronické komponenty novej generácie.