CVD TAC potiahnuté krúžky

Semicorex CVD TAC potiahnuté krúžky sú komponenty s presným inžinierom navrhnuté špeciálne pre proces rastu kryštálov, najmä v rámci smerovej tuhosti a czochralski (CZ) systémov. Tieto krúžky potiahnuté CVD TAC fungujú ako komponenty vodiaceho prietoku - spoločne označované ako „prstene vodiacich prsteňov“ alebo „kruhy vychyľovania plynu“ - a hrajú rozhodujúcu úlohu pri udržiavaní stabilných vzorcov prietoku plynu a tepelných prostredí počas fázy rastu kryštálov.

Ako príklad berú rast kremíkových karbidu, grafitové materiály a kompozitné materiály z uhlíka v materiáloch tepelného poľa je ťažké splniť komplexný proces atmosféry (Si, sic₂, si₂c) pri 2300 ℃. Nielenže je krátke životnosť, rôzne časti sú nahradené každou do desiatich pecí a dialýza a prchanie grafitu pri vysokých teplotách môžu ľahko viesť k defektom kryštálov, ako sú napríklad uhlíkové inklúzie. Aby sa zabezpečilo vysoký kvalitný a stabilný rast polovodičových kryštálov a vzhľadom na náklady na priemyselnú výrobu, keramické povlaky odolné voči korózii vysokej teploty sa pripravujú na povrch grafitových častí, ktoré predĺžia životnosť grafitských komponentov, inhibujú migráciu nečistoty a zlepší čistotu kryštálu. V epitaxiálnom raste karbidu kremíka sa na prepravu a zahrievanie jednovrokryštálových substrátov obvykle používajú spadajúce grafitové spadáky potiahnuté kremíkom. Ich služobná životnosť je stále potrebné vylepšiť a ložiská karbidu kremíka na rozhraní je potrebné pravidelne čistiť. Naopak,Tantalum karbid (TAC) povlakysú odolnejšie voči korozívnym atmosférom a vysokým teplotám a sú základnou technológiou pre takéto kryštály SIC, aby „rastú, rastú a dobre rastú“.

TAC má bod topenia až do 3880 ℃ a má vysokú mechanickú pevnosť, tvrdosť a odolnosť proti tepelnému šoku; Má dobrú chemickú inerte a tepelnú stabilitu voči amoniaku, vodíku a parom obsahujúcej kremík pri vysokých teplotách. Materiály s grafitmi (kompozitnými uhlíkovými uhlíkmi) potiahnuté povlakmi TAC je veľmi pravdepodobné, že nahradia tradičný vysokokvalitný grafit, povlaky PBN, časti potiahnuté SIC atď. Stále však existuje veľa výziev na dosiahnutie prípravy hustých, jednotných a netušiacich povlakov TAC na povrchu grafitu a podporu priemyselnej hmotnostnej výroby. V tomto procese je skúmanie mechanizmu ochrany povlaku, inovácia výrobného procesu a konkurencia s najvyššou zahraničnou úrovňou rozhodujúce pre rast polovodičových kryštálov a epitaxiu tretej generácie.

Proces SIC PVT pomocou súboru konvenčného grafitu aCVD TAC potiahnutýKruhy boli modelované tak, aby pochopili vplyv emisivity na distribúciu teploty, čo môže viesť k zmenám v rýchlosti rastu a tvaru ingot. Je ukázané, že kruhy potiahnuté CVD TAC dosiahnu rovnomernejšie teploty v porovnaní s existujúcim grafitom. Okrem toho vynikajúca tepelná a chemická stabilita povlaku TAC zabraňuje reakcii uhlíka s parou SI. Výsledkom je, že povlak TAC robí distribúciu C/Si v radiálnom smere rovnomernejšie.