Grafitový nosič pre epitaxiálne reaktory

Semicorex Graphite Carrier pre epitaxiálne reaktory je komponentom pre epitaxiálne ukladanie pre výrobu polovodičov. Tento grafitový nosič je vyrobený z grafitu s vysokou čistotou a rovnomerne potiahnutý SIC. Tento nosič prichádza s niekoľkými výhodami, ktoré znižujú zodpovednosť, opotrebenie a poskytovanie lepšej chemickej stability, keď je v korozívnych prostrediach a tiež pri vysokých teplotách. Hustá mikro pórovitosť Bottomıyla na spodnom povrchu poskytuje rovnomerné rozdelenie plynu cez povrch oblátky počas rastu, ktoré musí byť dostatočne presné na to, aby sa vytvorili vrstvy bez vrstiev bez defektov.

Nosič potiahnutý SIC je zameraný na vodorovné alebo vertikálne epitaxiálne reaktory, či už dávku alebo jednotlivé oblátky. Kremíkový karbidový povlak chráni grafit, názvy ED zlepšuje rezistenciu na leptanie, je odolný voči oxidácii a tiež tepelný šok v porovnaní s nepotiahnutým grafitovým revolúciou, ktorý prevádzkovatelia prístupu musia/investovať pomocou monumentálneho času, ktorý premárnil, aby sa rozsiahla údržba/nahradila nosičom s menšou intervenciou životnosti služieb v každej fáze termálneho cyklu; Ponáhľanie údržby z vedra alebo renomovaných RK renomovaných polymérov schopných nosičom s možno vymeniť raz ako všetko ostatné; Aby sa maximalizovala prevádzková účinnosť, namiesto toho prenatálna alebo podľa plánovanej údržby.

Základný grafitový substrát je vyrobený z ultra jemného zrna, materiálu s vysokou hustotou, ktorý pri extrémnom tepelnom zaťažení poskytuje zabudovanú mechanickú stabilitu a rozmerovú stabilitu. Pevný, presný povlak SIC sa môže pridať do uhlíkovej vrstvy s použitím chemickej depozície pary (CVD), ktorý spolu poskytuje vysokú hustotu, hladkú, ostrú a dierkovú bezplatnú vrstvu so silnou povrchovou väzbou. To môže znamenať dobrú kompatibilitu s procesnými plynmi a stavom reaktora, ako aj s zníženou kontamináciou a menším počtom častíc, ktoré môžu ovplyvniť výťažok doštičiek.

Poloha mikropostavenia, rozstup a štruktúra na spodnej časti nosiča sa plánuje podporovať najúčinnejší a jednotný prietok plynu zo spodnej časti reaktora perforáciou grafitového nosiča k oblástkám nad ním. Rovnomerný prietok plynu zo základne reaktora môže významne zmeniť proces riadenia hrúbky vrstvy a dopingových profilov v grafitových nosičoch pre procesy epitaxného rastu, najmä v polovodičoch plynných zlúčenín, ako sú SIC alebo GAN, kde je rozhodujúca presnosť a opakovateľnosť. Okrem toho je špecifikácia hustoty a vzoru perforácie vysoko prispôsobiteľná, definovaná návrhom reaktora každej spoločnosti a perforácia je založená na špecifikáciách procesu.

Graphitové nosiče Semicorex sú navrhnuté a vyrábané s ohľadom na prísnosť prostredia epitaxného procesu. Spoločnosť Semicorex ponúka prispôsobenie pre všetky veľkosti, vzory otvorov a potiahnuté hrúbky, aby sa bezchybne integrovala do vášho existujúceho zariadenia. Naša interná schopnosť vyrábať dopravcov a náročnú kontrolu kvality zaisťujú presný, opakovateľný výkon, riešenia s vysokou čistotou a spoľahlivosť, ktorú požadujú dnešní poprední poprední výrobcovia polovodičov.