Oblátky

Spoločnosť Semicorex ponúka vysokokvalitné oblátky LTOI, určené pre pokročilé aplikácie v RF filtroch, optických zariadeniach a technológiách MEMS. Naše doštičky sú vybavené vrstvou lítium-tantalátu (LT) s rozsahom hrúbky 0,3-50 µm, čo zabezpečuje výnimočný piezoelektrický výkon a tepelnú stabilitu.

Tieto doštičky, ktoré sú k dispozícii v 6-palcových a 8-palcových veľkostiach, podporujú rôzne kryštálové orientácie vrátane rezov X, Z a Y-42, čo poskytuje všestrannosť pre rôzne požiadavky zariadenia. Izolačný substrát môže byť prispôsobený Si, sic, Sapphire,

 Spinel alebo Quartz, optimalizácia výkonu pre konkrétne aplikácie.

Kryštál lítium-tantalátu (LT, LITAO3) je dôležitým multifunkčným kryštálom s vynikajúcimi piezoelektrickými, ferroelektrickými, akustoptickými a elektrooptickými účinkami. Akustické LT kryštály, ktoré sa stretávajú s piezoelektrickými aplikáciami, sa dajú použiť na prípravu vysokofrekvenčných širokopásmových akustických rezonátorov, prevodníkov, oneskorených línií, filtrov a iných zariadení, ktoré sa používajú v mobilných komunikáciách, satelitných komunikáciách, ako aj v oblasti digitálneho signálu, televízie, televízie a iným pokynom a iným. polia.

Tradičné zariadenia na povrchovú akustickú vlnu (SAW) sa pripravujú na blokoch LT s jedným kryštálom a zariadenia sú veľké a nie sú kompatibilné s procesmi CMOS. Použitie vysokovýkonných piezoelektrických jednokryštálových tenkých filmov je dobrou voľbou na zlepšenie integrácie zariadení SAW a zníženie nákladov. Zariadenia SAW založené na piezoelektrických jednokryštalických tenkých filmoch môžu nielen zlepšiť integračnú schopnosť zariadení SAW pomocou polovodičových materiálov ako substrátov, ale tiež zlepšiť rýchlosť prenosu zvukových vĺn výberom vysokorýchlostného kremíka, zafíru alebo diamantových substrátov. Tieto substráty môžu potlačiť stratu vĺn pri prenose vedením energie vo vnútri piezoelektrickej vrstvy. Preto je kľúčovým faktorom na získanie vysoko výkonných, lacných a vysoko integrovaných zariadení SAW, výberom pravého piezoelektrického jednokryštálového filmu a procesu prípravy.

Aby sa uspokojili naliehavé potreby novej generácie piezoelektrických akustických zariadení na integráciu, miniaturizáciu, vysokofrekvenčnú a veľkú šírku pásma podľa vývojového trendu integrácie a miniaturizácie front-end RF, technológia s inteligentným cut technológiou kombinujúca iónovú technológiu Ion (CIS), ktorá sa dá použiť na prípravu jediného kryštálového filmu (LOI). a riešenie pre vývoj zariadení na spracovanie signálu RF s vyšším výkonom a nižších nákladov. LTOI je revolučná technológia. Zariadenia SAW založené na oblátkach LTOI majú výhody malej veľkosti, veľkej šírky pásma, vysokej prevádzkovej frekvencie a integrácie IC a majú rozsiahle vyhliadky na trhu.

Technológia implantácie kryštálových iónov (CIS) môže pripraviť vysoko kvalitné materiály s jedným kryštálom tenkého filmu s hrúbkou submikrónu a má výhody procesu kontrolovateľného prípravy, nastaviteľné parametre procesu, ako je energetika implantácie iónov, implantácia dávky a teplota žíhania. Ako technológia CIS dozrieva, technológia Smart-Cut Technology založená na technológii CIS a technológii lepkavých oblátok môže nielen zlepšiť výnos materiálov substrátov, ale tiež ďalej znižovať náklady prostredníctvom viacnásobného využitia materiálov. Obrázok 1 je schematickým diagramom iónovej implantácie a pripájania a odlupovania oblátkov. Technológia Smart-Cut bola prvýkrát vyvinutá spoločnosťou SOITEC vo Francúzsku a aplikovaná na prípravu vysokokvalitných doštičiek kremíka na izolátor (SOI) [18]. Technológia inteligentných rezov môže nielen produkovať vysokokvalitné a nízkonákladové doštičky SOI, ale tiež kontrolovať hrúbku SI na izolačnej vrstve zmenou energie iónovej implantácie. Preto má silnú výhodu pri príprave materiálov SOI. Okrem toho má technológia Smart-Cut tiež schopnosť prenášať rôzne jednorazové filmy na rôzne substráty. Môže sa použiť na prípravu viacvrstvových materiálov tenkých filmov so špeciálnymi funkciami a aplikáciami, ako je výstavba LT filmu na substrátoch SI a príprava vysoko kvalitných piezoelektrických materiálov tenkého filmového materiálu na kremíku (SI). Táto technológia sa preto stala účinným prostriedkom na prípravu vysoko kvalitných filmových filmov lítium-tantalátu.