O defektoch v kryštáloch SiC - Micropipe

SiC substrate can have microscopic defects, such as Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD), and others. These defects are caused by deviations in the arrangement of atoms at the atomic level. SiC crystals may also have macroscopic dislocations, like Si or C inclusions, micropipe, hexagonal voids, polymorphs, etc. These dislocations are typically large in size.

Jedným z hlavných problémov pri výrobe zariadení SiC sú trojrozmerné mikroštruktúry známe ako "mikropipe" alebo "dierky", ktoré majú zvyčajne veľkosť 30-40 um a 0,1-5 um. Tieto mikrorúrky majú hustotu 10-10³/cm² a môžu preniknúť cez epitaxiálnu vrstvu, čo vedie k defektom, ktoré ničia zariadenie. Sú primárne spôsobené zhlukom spiro dislokácií a sú považované za primárnu prekážku vo vývoji SiC zariadení.

Defekty mikrotubulov na substráte sú zdrojom ďalších defektov vytvorených v epitaxnej vrstve počas procesu rastu, ako sú dutiny, inklúzie rôznych polymorfov, dvojčatá atď. pre vysokonapäťové a vysokovýkonné SiC zariadenia je znížiť tvorbu defektov mikrotubulov v objemových kryštáloch SiC a zabrániť im vstúpiť do epitaxnej vrstvy.

Mikrorúru možno považovať za malé jamky a optimalizáciou podmienok procesu môžeme „vyplniť jamy“, aby sme znížili hustotu mikrorúrky. Viaceré štúdie v literatúre a experimentálne údaje ukázali, že epitaxia odparovania, rast CVD a epitaxia v kvapalnej fáze môžu vyplniť mikropipu a znížiť tvorbu mikropipe a dislokácií.

Semicorex využíva techniku ​​MOCVD na vytváranie SiC povlakov, ktoré účinne znižujú hustotu mikropipe, výsledkom čoho sú produkty najvyššej kvality. Ak máte akékoľvek otázky alebo potrebujete ďalšie podrobnosti, neváhajte nás kontaktovať.

Kontaktné telefónne číslo +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com