Suché leptanie vs mokré leptanie

In semiconductor fabrication, etching is one of the major steps, along with photolithography and thin-film deposition. It involves removing unwanted materials from the surface of a wafer using chemical or physical methods. This step is carried out after coating, photolithography, and developing. It is used to remove the exposed thin film material, leaving only the desired portion of the wafer, and then removing the excess photoresist. These steps are repeated numerous times to create complex integrated circuits.

Leptanie je rozdelené do dvoch kategórií: suché leptanie a mokré leptanie. Suché leptanie zahŕňa použitie reaktívnych plynov a plazmového leptania, zatiaľ čo mokré leptanie zahŕňa ponorenie materiálu do korózneho roztoku, aby došlo k jeho korózii. Suché leptanie umožňuje anizotropné leptanie, čo znamená, že sa leptá iba vertikálny smer materiálu bez ovplyvnenia priečneho materiálu. To zaisťuje verný prenos malej grafiky. Naproti tomu mokré leptanie nie je kontrolovateľné, čo môže zmenšiť šírku čiary alebo dokonca zničiť samotnú čiaru. To má za následok nízku kvalitu výroby čipov.

Suché leptanie sa delí na fyzikálne leptanie, chemické leptanie a fyzikálno-chemické leptanie na základe použitého mechanizmu iónového leptania. Fyzikálne leptanie je vysoko smerové a môže to byť anizotropné leptanie, ale nie selektívne leptanie. Chemické leptanie využíva plazmu v chemickej aktivite atómovej skupiny a materiálu, ktorý sa má leptať, aby sa dosiahol účel leptania. Má dobrú selektivitu, ale anizotropia je slabá kvôli jadru leptania alebo chemickej reakcie.