TaC povlak s metódou CVD

Povlak karbidu tantalu je dôležitý vysoko pevný, korózii odolný a chemicky stabilný vysokoteplotný konštrukčný materiál s bodom topenia až 4273 °C, jedna z niekoľkých zlúčenín s najvyššou teplotnou odolnosťou. Má vynikajúce mechanické vlastnosti pri vysokých teplotách, odolnosť proti odieraniu vysokorýchlostným prúdením vzduchu, odolnosť voči ablácii a dobrú chemickú a mechanickú kompatibilitu s grafitom a kompozitmi uhlík/uhlík. Preto v epitaxnom procese GaN LED a SiC energetických zariadení, ako je MOCVD, má povlak TaC vynikajúcu odolnosť voči kyselinám a zásadám voči H2, HCl, NH3, čo môže úplne chrániť materiál grafitového substrátu a vyčistiť rastové prostredie.

TaC povlak zostáva stabilný pri teplotách nad 2000 °C, zatiaľ čo povlak SiC sa začína rozkladať pri 1200-1400 °C, čo tiež výrazne zlepší integritu grafitového substrátu. Povlaky karbidu tantalu sa v súčasnosti pripravujú na grafitových substrátoch hlavne pomocou CVD a výrobná kapacita povlakov TaC sa bude ďalej zvyšovať, aby uspokojila dopyt po SiC energetických zariadeniach a GaNLED epitaxných zariadeniach.

Systém chemickej reakcie používaný na nanášanie povlakov karbidu tantalu na uhlíkové materiály chemickým vylučovaním z plynnej fázy (CVD) je TaCl5, C3H6, H2 a Ar, kde sa Ar používa ako riediaci a nosný plyn.

Povlaky karbidu tantalu zohrávajú kľúčovú úlohu v epitaxnom procese GaN LED a SiC energetických zariadení pomocou MOCVD. Pokročilé materiály chránia životne dôležité komponenty a zaisťujú ich dlhú životnosť a výkon v náročných podmienkach spojených s výrobou polovodičov pri vysokých teplotách.

Keďže dopyt po SiC napájacích zariadeniach a GaN LED stále narastá, výrobná kapacita povlakov z karbidu tantalu sa bude rozširovať. Výrobcovia sú pripravení splniť rastúce požiadavky týchto odvetví a uľahčovať vývoj vysokoteplotných technológií.

Na záver,povlaky z karbidu tantalupredstavujú neuveriteľný technologický skok v zabezpečení odolnosti a spoľahlivosti materiálov vo vysokoteplotnom prostredí. Keďže tieto povlaky pokračujú v revolúcii v sektore polovodičov a výkonovej elektroniky, podčiarkujú ich postavenie ako kritického prvku moderných high-tech pokrokov.