Čo je SiC epitaxia?

Epitaxia karbidu kremíka (SiC) je kľúčovou technológiou v oblasti polovodičov, najmä pre vývoj vysokovýkonných elektronických zariadení. SiC je zložený polovodič so širokým pásmovým odstupom, vďaka čomu je ideálny pre aplikácie, ktoré vyžadujú vysokoteplotnú a vysokonapäťovú prevádzku.

SiC epitaxia je proces pestovania tenkej vrstvy kryštalického materiálu na substráte, typicky kremíku, pomocou techník chemického naparovania (CVD) alebo epitaxie molekulárnym lúčom (MBE). Epitaxná vrstva má rovnakú kryštálovú štruktúru a orientáciu ako substrát, čo umožňuje vytvorenie vysokokvalitného rozhrania medzi týmito dvoma materiálmi.

SiC epitaxia sa široko používa pri vývoji výkonovej elektroniky, vrátane výkonových zariadení, ako sú diódy, tranzistory a tyristory. Tieto zariadenia sa používajú v širokej škále aplikácií, ako sú elektrické vozidlá, systémy obnoviteľnej energie a napájacie zdroje.

V posledných rokoch rastie záujem o vývoj SiC epitaxie na výrobu vysokovýkonných zariadení pre aplikácie, ako sú elektrické vozidlá a systémy obnoviteľnej energie. Očakáva sa, že dopyt po týchto zariadeniach bude v nasledujúcich rokoch rýchlo rásť v dôsledku potreby efektívnejších a udržateľnejších energetických systémov.

V reakcii na tento dopyt výskumníci a spoločnosti investujú do vývoja technológie epitaxie SiC so zameraním na zlepšenie kvality a zníženie nákladov procesu. Napríklad niektoré spoločnosti vyvíjajú SiC epitaxiu na väčších substrátoch, aby znížili náklady na plátok, zatiaľ čo iné skúmajú nové techniky na zníženie hustoty defektov.

Epitaxia SiC sa používa aj pri vývoji pokročilých senzorov pre celý rad aplikácií vrátane snímania plynov, snímania teploty a snímania tlaku. SiC má jedinečné vlastnosti, vďaka ktorým je ideálny pre tieto aplikácie, ako je stabilita pri vysokých teplotách a odolnosť voči drsnému prostrediu.