Proces epitaxných plátkov je kritickou technikou používanou pri výrobe polovodičov. Zahŕňa rast tenkej vrstvy kryštálového materiálu na povrchu substrátu, ktorý má rovnakú kryštálovú štruktúru a orientáciu ako substrát. Tento proces vytvára vysokokvalitné rozhranie medzi týmito dvoma materiálmi, čo umožňuje vývoj pokročilých elektronických zariadení.

Proces epitaxnej doštičky sa používa pri výrobe rôznych polovodičových zariadení vrátane diód, tranzistorov a integrovaných obvodov. Proces sa typicky uskutočňuje pomocou techník chemického nanášania pár (CVD) alebo epitaxie molekulárnym lúčom (MBE). Tieto techniky zahŕňajú ukladanie atómov materiálu na povrch substrátu, kde vytvárajú kryštalickú vrstvu.

Proces epitaxnej doštičky je komplexná a presná technika, ktorá si vyžaduje prísnu kontrolu rôznych parametrov, ako je teplota, tlak a prietok plynu. Rast epitaxnej vrstvy musí byť starostlivo kontrolovaný, aby sa zabezpečila tvorba vysoko kvalitnej kryštálovej štruktúry s nízkou hustotou defektov.

Kvalita procesu epitaxnej doštičky je rozhodujúca pre výkon výsledného polovodičového zariadenia. Epitaxná vrstva musí mať jednotnú hrúbku, nízku hustotu defektov a vysokú úroveň čistoty, aby sa zabezpečili optimálne elektronické vlastnosti. Hrúbku a úroveň dotovania epitaxnej vrstvy možno presne kontrolovať, aby sa dosiahli požadované vlastnosti, ako je vodivosť a bandgap.

V posledných rokoch sa proces epitaxných plátkov stal čoraz dôležitejším pri výrobe vysokovýkonných polovodičových zariadení, najmä v oblasti výkonovej elektroniky. Dopyt po vysokovýkonných zariadeniach so zlepšenou účinnosťou a spoľahlivosťou poháňal vývoj pokročilých procesov epitaxných plátkov.

Proces epitaxných plátkov sa používa aj pri vývoji pokročilých senzorov vrátane teplotných senzorov, plynových senzorov a tlakových senzorov. Tieto senzory vyžadujú vysokokvalitné kryštalické vrstvy so špecifickými elektronickými vlastnosťami, ktoré je možné dosiahnuť procesom epitaxných plátkov.