Aplikácia SiC a GaN v elektrických vozidlách

SiCMOSFET sú tranzistory, ktoré ponúkajú vysokú hustotu výkonu, zlepšenú účinnosť a nízku poruchovosť pri vysokých teplotách. Tieto výhody SiC MOSFET prinášajú množstvo výhod pre elektrické vozidlá (EV), vrátane dlhšieho dojazdu, rýchlejšieho nabíjania a potenciálne lacnejších batériových elektrických vozidiel (BEV). Za posledných päť rokovSiCMOSFETy sa široko používajú vo výkonovej elektronike elektrických vozidiel vo vozidlách od výrobcov OEM, ako sú Tesla a Hyundai. V skutočnosti invertory SiC predstavovali v roku 2023 28 % trhu BEV.

GaNHEMT sú novšou technológiou, ktorá bude pravdepodobne ďalším veľkým disruptorom na trhu EV. GaN HEMT ponúkajú vynikajúcu účinnosť, ale stále čelia významným výzvam pri zavádzaní, ako sú napríklad možnosti maximálnej manipulácie s výkonom. Existuje značné prekrývanie medzi SiC MOSFET a GaN HEMT a obe budú mať miesto na trhu automobilových výkonových polovodičov.

Ako sa zariadenia rýchlo zväčšujú, odstránili sa prekážky výkonu, spoľahlivosti a výrobnej kapacity SiC MOSFET a náklady na ne výrazne klesli. Hoci je priemerná cena SiC MOSFETov stále 3-krát drahšia ako ekvivalentné Si IGBT, vďaka svojim vlastnostiam sú obľúbené u výrobcov ako Tesla, Hyundai a BYD. Ďalšie spoločnosti tiež oznámili budúce prijatie SiC MOSFET, vrátane Stellantis, Mercedes-Benz a aliancie Renault-Nissan-Mitsubishi.

SiCMOSFETy majú menší tvarový faktor a môžu tiež zmenšiť veľkosť sprievodných pasívnych komponentov, ako sú tlmivky v trakčných meničoch. Nahradením Si IGBT v meniči za SiC MOSFET môžu byť BEV ľahšie a efektívnejšie a ich dojazd sa môže zvýšiť približne o 7 %, čím sa riešia obavy spotrebiteľov o dosah. Na druhej strane, použitím SiC MOSFETov je možné dosiahnuť rovnaký dojazd so zníženou kapacitou batérie, čo pomáha vytvárať ľahšie, lacnejšie a udržateľnejšie vozidlá.

So zvyšujúcou sa kapacitou batérie dochádza k celkovej úspore energie dosiahnutej používanímSiCZvyšujú sa aj MOSFETy. spočiatkuSiCMOSFETy a väčšie batérie boli vyhradené pre elektromobily strednej a vyššej triedy s väčšími batériami. S novými bežnými a ekonomickými vozidlami, ako sú MG MG4, BYD Dolphin a Volvo EX30 s kapacitou batérie presahujúcou 50 kWh, prenikli SiC MOSFET do bežného segmentu osobných automobilov v Európe a Číne. Toto bolo sprevádzané náskokom, ktorý získali Spojené štáty, pričom Tesla bola prvým veľkým OEM, ktorý použil SiC MOSFET vo svojom Modeli 3. Existujú správy, že dopyt po SiC MOSFET v rokoch 2023 až 2035 vzrastie 10-násobne, najmä vďaka prijatie platforiem s vyššou účinnosťou a vyšším napätím pre použitie v invertoroch, palubných nabíjačkách a DC-DC konvertoroch.

Semicorex ponúka vysokú kvalituSiCdoštičkyaGaN doštičky. Ak máte akékoľvek otázky alebo potrebujete ďalšie podrobnosti, neváhajte nás kontaktovať.

Kontaktné telefónne číslo +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com