Porézny grafit s povlakom TaC

Semicorex porézny grafit s povlakom TaC kombinuje jedinečné vlastnosti porézneho grafitu s ochrannými a zlepšujúcimi schopnosťami povlaku TaC, čím ponúka výrazné vylepšenia oproti tradičným materiálom používaným vo vysokoteplotných téglikoch.

Grafit a porézny grafit, hoci sa široko používajú pre svoju tepelnú stabilitu a elektrickú vodivosť, predstavujú významné výzvy v prostredí s vysokou teplotou. Predovšetkým porézny grafit je preferovaný pre svoju vysokú priepustnosť, ktorá umožňuje lepšie prúdenie plynu a rovnomerné rozloženie teploty. Jeho vysoká pórovitosť ho však robí mechanicky slabým, čo vedie k ťažkostiam pri obrábaní a presnom tvarovaní materiálu. Okrem toho môže porézna štruktúra viesť k uvoľňovaniu častíc, ktoré kontaminujú kryštály SiC. Porézny grafit je tiež náchylný na chemické leptanie a degradáciu pri vysokých teplotách a reaktívnom prostredí, čo ohrozuje integritu téglika. Podobne, zatiaľ čo prášky karbidu tantalu (TaC) sa často používajú na poťahovanie alebo miešanie s grafitom na zlepšenie jeho vlastností, ich rovnomerná aplikácia a priľnavosť môžu byť náročné, čo vedie k nerovným povrchom a potenciálnemu znečisteniu.

Produkt porézny grafit s povlakom TaC účinne prekonáva vyššie uvedené výzvy integráciou najlepších vlastností oboch materiálov:

Vylepšená mechanická pevnosť: Povlak TaC výrazne zvyšuje mechanickú pevnosť porézneho grafitu, vďaka čomu sa porézny grafit s povlakom TaC ľahšie obrába a tvaruje bez toho, aby bola narušená štrukturálna integrita materiálu.

Znížené uvoľňovanie častíc: Povlak TaC vytvára ochrannú vrstvu na poréznom grafite, čím sa znižuje pravdepodobnosť uvoľňovania častíc a kontaminácie kryštálov SiC.

Vylepšená chemická odolnosť: TaC je vysoko odolný proti chemickému leptaniu a degradácii a poskytuje trvanlivú bariéru, ktorá chráni porézny grafit pred reaktívnymi plynmi a prostredím s vysokou teplotou.

Tepelná stabilita a vodivosť: Grafit aj TaC vykazujú vynikajúcu tepelnú stabilitu a vodivosť. Kombinácia porézneho grafitu s povlakom TaC zaisťuje, že téglik si zachováva rovnomerné rozloženie teploty, čo je rozhodujúce pre rast kryštálov SiC bez defektov.

Optimalizovaná priepustnosť: Vlastná pórovitosť grafitu umožňuje efektívne prúdenie plynu a tepelné riadenie, zatiaľ čo povlak TaC zaisťuje zachovanie tejto priepustnosti bez toho, aby bola narušená integrita materiálu.

Semicorex porézny grafit s povlakom TaC predstavuje významný pokrok v materiáloch používaných na rast kryštálov SiC. Porézny grafit s povlakom TaC, ktorý rieši mechanické, chemické a tepelné problémy spojené s tradičnými grafitovými a TaC práškami, zaisťuje vyššiu kvalitu kryštálov SiC s menším počtom defektov. Kombinácia priepustnosti porézneho grafitu a ochranných vlastností TaC ponúka robustné riešenie pre vysokoteplotné aplikácie, vďaka čomu je základným materiálom pri výrobe pokročilých polovodičov a elektronických zariadení.