Grafitové tégliky potiahnuté SiC

Inštalované v strede vysokoteplotných pecí na rast kryštálov,potiahnuté SiCgrafitové tégliky pracujú v spojení s ohrievačmi, tepelne izolačnými manžetami, prietokovými vodiacimi rúrkami a hriadeľmi téglikov, aby vytvorili kompletný systém tepelného poľa. Tento systém tepelného poľa môže udržiavať stabilné vysokoteplotné prostredie nevyhnutné pre rast kryštálov.

Výroba povlaku SiCgrafitové téglikyzvyčajne začína s použitím pokročilej technológie chemického nanášania pár na rovnomerné nanášanie hustého materiálukarbid kremíkapovlak na povrchu vytvoreného grafitového substrátu. Zložené z vysoko čistéhografitsubstrát a hustý povlak karbidu kremíka, grafitový téglik potiahnutý SiC tvorí synergickú štruktúru, ktorá kombinuje tepelnú vodivosť grafitu s odolnosťou karbidu kremíka proti korózii.

Czochralského metóda je univerzálna priemyselná technika na rast kryštálov. Táto technika bude vyvíjať odstredivú silu na téglik počas výroby kryštálu. Vynikajúca pevnosť v ohybe a húževnatosť grafitových téglikov potiahnutých SiC môže zabrániť rozbitiu alebo prasknutiu počas vysokorýchlostnej rotácie, čím sa účinne znížia prerušenia výroby spôsobené poškodením téglika. Okrem toho musia tégliky počas tohto procesu v krátkom časovom období podstúpiť drastické teplotné výkyvy. Vďaka svojej pozoruhodnej odolnosti voči teplotným šokom môžu grafitové tégliky potiahnuté SiC redukovať štrukturálne poškodenie súvisiace s tepelným namáhaním, zabezpečiť stálosť ich tvaru, čím sa znížia poruchy rastu kryštálov spôsobené deformáciou téglika.

Pri vysokých teplotách vytvoria grafitové tégliky potiahnuté SiC hustú ochrannú vrstvu karbidu kremíka. Táto ochranná vrstva môže izolovať grafitový substrát od výparov kremíka a roztaveného kremíka, čím sa minimalizuje korózia grafitového substrátu a riziko kontaminácie kryštálov spojené s odlupovaním povlaku. Preto môžu grafitové tégliky s povlakom SiC od spoločnosti Semicorex odolať rôznym zložitým vysokoteplotným koróznym prostrediam po dlhšiu dobu v skutočnej prevádzke. To zaisťuje konzistentné zloženie kryštálov a znižuje chybovosť, pričom obe sú nevyhnutné na výrobu vysokokvalitných polovodičových kryštálov.