SiC epitaxný receptor

SiC epitaxný susceptor, vyrobený s presnosťou a skonštruovaný pre spoľahlivosť, sa vyznačuje vysokou odolnosťou proti korózii, vysokou tepelnou vodivosťou, odolnosťou voči tepelným šokom a vysokou chemickou stabilitou, čo mu umožňuje efektívne fungovať v epitaxnej atmosfére. Preto sa SiC epitaxný susceptor považuje za jadro a rozhodujúci komponent v zariadení MOCVD. Semicorex je odhodlaný poskytovať kvalitné produkty za konkurencieschopné ceny, tešíme sa, že sa staneme vaším dlhodobým partnerom v Číne.

Odoslať dopyt

Popis produktu

SiC epitaxný susceptor je kritickým komponentom používaným v MOCVD zariadení na podporu a zahrievanie monokryštálových substrátov. Jeho vynikajúce výkonové parametre, ako je tepelná stabilita a tepelná rovnomernosť, zohrávajú rozhodujúcu úlohu v kvalite rastu epitaxného materiálu, pričom zabezpečujú vysokú úroveň rovnomernosti a čistoty v tenkovrstvových materiáloch.

SiC epitaxný susceptor má vynikajúcu hustotu a poskytuje účinnú ochranu vo vysokoteplotnom a korozívnom pracovnom prostredí. Navyše jeho vysoká rovinnosť povrchu dokonale spĺňa požiadavky na rast monokryštálov na povrchu substrátu.

Minimálny koeficient rozdielov v tepelnej rozťažnosti v SiC epitaxnom susceptore výrazne zvyšuje pevnosť spojenia medzi epitaxným substrátom a poťahovým materiálom, čím sa znižuje pravdepodobnosť prasknutia po vystavení vysokoteplotnému tepelnému cyklu.

Súčasne vykazuje vysokú tepelnú vodivosť, čo umožňuje rýchle a rovnomerné rozloženie tepla pre rast čipov. Navyše jeho vysoká teplota topenia, teplotná odolnosť, odolnosť proti oxidácii a odolnosť proti korózii umožňujú stabilnú prevádzku vo vysokoteplotných a korozívnych pracovných prostrediach.

Ako kľúčový komponent v reakčnej komore zariadenia MOCVD musí mať SiC epitaxný susceptor výhody, ako je odolnosť voči vysokej teplote, rovnomerná tepelná vodivosť, dobrá chemická stabilita a silná odolnosť voči tepelným šokom. Semicorex SiC Epitaxy Susceptor spĺňa všetky tieto požiadavky.