Zásobník na oblátky SiC

Semicorex SiC Wafer Tray, fungujúci ako kľúčový prvok v MOCVD prístroji, drží a tepelne spravuje monokryštálové substráty. Jeho výnimočné výkonové charakteristiky, vrátane vynikajúcej tepelnej stability a rovnomernosti, ako aj inhibície korózie atď., sú kľúčové pre vysokokvalitný rast epitaxných materiálov. Tieto atribúty zaisťujú konzistentnú jednotnosť a čistotu v tenkých vrstvách.

Podnos na doštičky SiC, vylepšený povlakom SiC, výrazne zlepšuje tepelnú vodivosť, čím uľahčuje rýchle a rovnomerné rozloženie tepla, ktoré je nevyhnutné pre rovnomerný epitaxný rast. Schopnosť podnosu na doštičky SiC efektívne absorbovať a vyžarovať teplo udržuje stabilnú a konzistentnú teplotu, ktorá je nevyhnutná pre presné nanášanie tenkých vrstiev. Toto rovnomerné rozloženie teploty je rozhodujúce pre výrobu vysokokvalitných epitaxných vrstiev, ktoré sú nevyhnutné pre výkon pokročilých polovodičových zariadení.

Spoľahlivý výkon a dlhá životnosť zásobníka na doštičky SiC znižujú frekvenciu výmen, čím sa minimalizujú prestoje a náklady na údržbu. Jeho robustná konštrukcia a vynikajúce prevádzkové schopnosti zvyšujú efektivitu procesu, čím zvyšujú produktivitu a nákladovú efektívnosť pri výrobe polovodičov.

Semicorex SiC podnos na oblátky navyše vykazuje vynikajúcu odolnosť voči oxidácii a korózii pri vysokých teplotách, čo ďalej zaisťuje jeho odolnosť a spoľahlivosť. Jeho vysoká tepelná odolnosť, vyznačujúca sa významným bodom topenia, mu umožňuje odolávať náročným tepelným podmienkam, ktoré sú vlastné procesom výroby polovodičov.