Doska prijímača

Semicorex Susceptor Plate je kľúčovým komponentom v procese epitaxného rastu, špeciálne navrhnutý na prenášanie polovodičových doštičiek počas nanášania tenkých vrstiev alebo vrstiev. V súvislosti s kovovo-organickou chemickou depozíciou z plynnej fázy (MOCVD) sú tieto platne vyrobené najmä z materiálov, ktoré odolávajú vysokým teplotám a poskytujú stabilný povrch pre rast epitaxných vrstiev.

Susceptorová doska použitá v tomto procese je vyrobená z grafitu, ktorý je potiahnutý karbidom kremíka (SiC) prostredníctvom samotného procesu MOCVD. Karbid kremíka ponúka výnimočnú tepelnú stabilitu, mechanickú pevnosť a odolnosť voči chemickým reakciám, vďaka čomu je ideálnou voľbou pre náročné podmienky epitaxného rastu.

Počas MOCVD hrá susceptorová doska kľúčovú úlohu tým, že účinne prenáša teplo do polovodičových doštičiek. Doska absorbuje energiu z okolitého prostredia a vyžaruje ju smerom k doštičkám, čím uľahčuje riadené ukladanie tenkých vrstiev na povrchy doštičiek. Táto presná kontrola teploty je nevyhnutná pre dosiahnutie rovnomerných a vysokokvalitných epitaxných vrstiev, ktoré sú kľúčové pri výrobe pokročilých polovodičových súčiastok.

Susceptorová doska v procesoch MOCVD, zložená z grafitu potiahnutého SiC, slúži ako spoľahlivá platforma na podporu polovodičových doštičiek, zabezpečuje optimálny prenos tepla a prispieva k úspešnému epitaxnému rastu tenkých vrstiev s požadovanými charakteristikami pre polovodičové aplikácie.