Porézny grafit potiahnutý karbidom tantalu Semicorex je najnovšou inováciou v technológii rastu kryštálov karbidu kremíka (SiC). Semicorex sa zaviazal poskytovať kvalitné produkty za konkurencieschopné ceny, tešíme sa, že sa staneme vaším dlhodobým partnerom v Číne*.
SemicorexKarbid tantaluPotiahnutý porézny grafit je špeciálne navrhnutý tak, aby optimalizoval rôzne aspekty procesu rastu kryštálov SiC, vrátane filtrácie parnej zložky, lokálneho nastavenia teplotného gradientu, vedenia smeru prúdenia a kontroly úniku.
Pórovitý charakter porézneho grafitu potiahnutého karbidom tantalu umožňuje efektívnu filtráciu zložiek pár počas procesu rastu kryštálov SiC. To zaisťuje, že iba požadované materiály prispievajú k tvorbe kryštálov, zlepšujú čistotu a celkovú kvalitu. Udržiavanie presnej regulácie teploty je rozhodujúce pri raste kryštálov. Porézny grafit potiahnutý karbidom tantalu zvyšuje tepelnú stabilitu a vodivosť porézneho grafitu, čo umožňuje presnejšie nastavenie miestnych teplotných gradientov. To vedie k lepšej kontrole nad morfológiou kryštálov a rýchlosťou rastu. Štrukturálny dizajn porézneho grafitu s povlakom karbidu tantalu v kombinácii s povlakom TaC uľahčuje riadený tok látok. To zaisťuje, že materiály sú dodávané presne tam, kde je to potrebné, čím sa podporuje rovnomerný rast kryštálov a znižuje sa pravdepodobnosť defektov. Účinná kontrola úniku materiálu je životne dôležitá pre zachovanie integrity rastového prostredia. Porézny grafit potiahnutý karbidom tantalu poskytuje vynikajúce tesniace vlastnosti, zabraňuje nežiaducim únikom a zaisťuje stabilnú a kontrolovanú rastovú atmosféru.
Výhody porézneho grafitu potiahnutého karbidom tantalu:
Vysoká teplota topenia a tepelná stabilita:TaCmá výnimočne vysoký bod topenia (okolo 3880 °C) a vynikajúcu tepelnú stabilitu, vďaka čomu je porézny grafit potiahnutý karbidom tantalu ideálny pre aplikácie pri vysokých teplotách, ako je rast kryštálov SiC.
Chemická inertnosť: TaC je vysoko odolný voči chemickým reakciám, čo zaisťuje, že náter zostane neporušený a účinný aj v agresívnom prostredí.
Zvýšená životnosť: Povlak TaC výrazne zvyšuje odolnosť porézneho grafitu, predlžuje životnosť porézneho grafitu s povlakom karbidu tantalu a znižuje potrebu častých výmen.
Vysoká pórovitosť: Vysoká pórovitosť grafitu umožňuje efektívnu filtráciu a riadenie prietoku, čo je nevyhnutné pre kvalitný rast kryštálov.
Ľahký a pevný: Porézny grafit je ľahký a mechanicky pevný, vďaka čomu sa s ním ľahko manipuluje a je schopný odolávať náročným procesom rastu kryštálov.
Tepelná vodivosť: Vynikajúca tepelná vodivosť grafitu zaisťuje efektívnu distribúciu tepla, ktorá je rozhodujúca pre udržanie konzistentných teplotných gradientov.
Porézny grafit potiahnutý karbidom tantalu Semicorex predstavuje významný pokrok v materiáloch na rast kryštálov SiC. Kombináciou jedinečných vlastností TaC s inherentnými výhodami porézneho grafitu poskytuje tento materiál vynikajúci výkon pri filtrácii zložiek pary, nastavovaní teplotného gradientu, navádzaní smeru prúdenia a kontrole úniku. Jeho robustná tepelná stabilita, chemická inertnosť a zvýšená odolnosť z neho robia neoceniteľnú výhodu pri hľadaní vysoko kvalitných kryštálov SiC.