Leptací prsteň

Leptací krúžok vyrobený z CVD SiC je základnou súčasťou procesu výroby polovodičov, ktorý ponúka výnimočný výkon v prostredí plazmového leptania. Vďaka svojej vynikajúcej tvrdosti, chemickej odolnosti, tepelnej stabilite a vysokej čistote zaisťuje CVD SiC, že proces leptania je presný, efektívny a spoľahlivý. Výberom Semicorex CVD SiC leptacích krúžkov môžu výrobcovia polovodičov predĺžiť životnosť svojich zariadení, znížiť prestoje a zlepšiť celkovú kvalitu svojich produktov.*

Odoslať dopyt

Popis produktu

Semicorex Etching Ring je kritickým komponentom v zariadeniach na výrobu polovodičov, konkrétne v systémoch na plazmové leptanie. Tento komponent vyrobený z karbidu kremíka s chemickým nanášaním pár (CVD SiC) ponúka vynikajúci výkon vo vysoko náročných plazmových prostrediach, čo z neho robí nenahraditeľnú voľbu pre procesy presného leptania v polovodičovom priemysle.

Proces leptania, ktorý je základným krokom pri vytváraní polovodičových súčiastok, si vyžaduje vybavenie, ktoré vydrží drsné plazmové prostredie bez degradácie. Leptací krúžok, umiestnený ako súčasť komory, kde sa plazma používa na leptanie vzorov na kremíkové doštičky, hrá v tomto procese kľúčovú úlohu.

Leptací krúžok funguje ako štrukturálna a ochranná bariéra, ktorá zaisťuje, že plazma je počas procesu leptania zadržaná a nasmerovaná presne tam, kde je to potrebné. Vzhľadom na extrémne podmienky v plazmových komorách – ako sú vysoké teploty, korozívne plyny a abrazívna plazma – je nevyhnutné, aby bol leptací krúžok vyrobený z materiálov, ktoré ponúkajú výnimočnú odolnosť voči opotrebovaniu a korózii. Tu sa CVD SiC (Chemical Vapour Deposition Silicon Carbide) osvedčuje ako najlepšia voľba pre výrobu leptacích krúžkov.

CVD SiC je pokročilý keramický materiál známy svojimi vynikajúcimi mechanickými, chemickými a tepelnými vlastnosťami. Tieto vlastnosti z neho robia ideálny materiál na použitie v zariadeniach na výrobu polovodičov, najmä v procese leptania, kde sú vysoké nároky na výkon.

Vysoká tvrdosť a odolnosť proti opotrebovaniu:

CVD SiC je jedným z najtvrdších dostupných materiálov, hneď po diamante. Táto extrémna tvrdosť poskytuje vynikajúcu odolnosť proti opotrebeniu, vďaka čomu je schopná odolať drsnému abrazívnemu prostrediu plazmového leptania. Leptací krúžok, ktorý je počas procesu vystavený nepretržitému bombardovaniu iónmi, si môže zachovať svoju štrukturálnu integritu dlhšie v porovnaní s inými materiálmi, čím sa znižuje frekvencia výmen.

Chemická inertnosť:

Jedným z hlavných problémov v procese leptania je korozívna povaha plazmových plynov, ako je fluór a chlór. Tieto plyny môžu spôsobiť značnú degradáciu materiálov, ktoré nie sú chemicky odolné. CVD SiC však vykazuje výnimočnú chemickú inertnosť, najmä v plazmovom prostredí obsahujúcom korozívne plyny, čím zabraňuje kontaminácii polovodičových doštičiek a zabezpečuje čistotu procesu leptania.

Tepelná stabilita:

Procesy leptania polovodičov sa často vyskytujú pri zvýšených teplotách, čo môže spôsobiť tepelné namáhanie materiálov. CVD SiC má vynikajúcu tepelnú stabilitu a nízky koeficient tepelnej rozťažnosti, čo mu umožňuje zachovať si tvar a štrukturálnu integritu aj pri vysokých teplotách. To minimalizuje riziko tepelnej deformácie a zabezpečuje konzistentnú presnosť leptania počas celého výrobného cyklu.

Vysoká čistota:

Čistota materiálov používaných pri výrobe polovodičov je nanajvýš dôležitá, pretože akákoľvek kontaminácia môže negatívne ovplyvniť výkon a výťažnosť polovodičových zariadení. CVD SiC je vysoko čistý materiál, ktorý znižuje riziko zanesenia nečistôt do výrobného procesu. To prispieva k vyšším výťažkom a lepšej celkovej kvalite pri výrobe polovodičov.

Leptací krúžok vyrobený z CVD SiC sa primárne používa v systémoch na leptanie plazmou, ktoré sa používajú na leptanie zložitých vzorov na polovodičové doštičky. Tieto vzory sú nevyhnutné na vytváranie mikroskopických obvodov a komponentov nachádzajúcich sa v moderných polovodičových zariadeniach vrátane procesorov, pamäťových čipov a inej mikroelektroniky.