Semicorex MOCVD Wafer Carriers pre polovodičový priemysel je špičkový nosič určený pre použitie v polovodičovom priemysle. Jeho vysoko čistý materiál zaisťuje rovnomerný tepelný profil a laminárny vzor prúdenia plynu a dodáva vysokokvalitné doštičky.
Naše nosiče doštičiek MOCVD pre polovodičový priemysel sú vysoko čisté, vyrobené chemickým nanášaním pár CVD za podmienok vysokoteplotnej chlorácie, čím sa zabezpečuje jednotnosť a konzistencia produktu. Je tiež vysoko odolný voči korózii, s hustým povrchom a jemnými časticami, vďaka čomu je odolný voči kyselinám, zásadám, soliam a organickým činidlám. Jeho odolnosť proti vysokoteplotnej oxidácii zaisťuje stabilitu pri vysokých teplotách až do 1600°C.
Kontaktujte nás ešte dnes a dozviete sa viac o našich nosičoch doštičiek MOCVD pre polovodičový priemysel.
Parametre nosičov doštičiek MOCVD pre polovodičový priemysel
Hlavné špecifikácie povlaku CVD-SIC |
||
Vlastnosti SiC-CVD |
||
Kryštálová štruktúra |
FCC β fáza |
|
Hustota |
g/cm³ |
3.21 |
Tvrdosť |
Tvrdosť podľa Vickersa |
2500 |
Veľkosť zrna |
μm |
2~10 |
Chemická čistota |
% |
99.99995 |
Tepelná kapacita |
J kg-1 K-1 |
640 |
Teplota sublimácie |
℃ |
2700 |
Felexurálna sila |
MPa (RT 4-bodové) |
415 |
Youngov modul |
Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃) |
430 |
Tepelná expanzia (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Tepelná vodivosť |
(W/mK) |
300 |
Vlastnosti grafitového susceptora potiahnutého SiC pre MOCVD
- Zabráňte odlupovaniu a zabezpečte povlak na celom povrchu
Odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote: Stabilná pri vysokých teplotách až do 1600 °C
Vysoká čistota: vyrobená chemickou depozíciou pár CVD za podmienok chlorácie pri vysokej teplote.
Odolnosť proti korózii: vysoká tvrdosť, hustý povrch a jemné častice.
Odolnosť proti korózii: kyselinám, zásadám, soliam a organickým činidlám.
- Dosiahnite najlepší vzor laminárneho prúdenia plynu
- Zaručiť rovnomernosť tepelného profilu
- Zabráňte šíreniu akejkoľvek kontaminácie alebo nečistôt