GaN vs SiC

V súčasnosti je vyšetrovaných niekoľko materiálov, medzi nimi naprsilikónový karbidvyniká ako jeden z najsľubnejších. PodobnýGaN, môže sa pochváliť vyšším prevádzkovým napätím, vyšším prierazným napätím a vynikajúcou vodivosťou v porovnaní s kremíkom. Navyše vďaka vysokej tepelnej vodivostisilikónový karbidmožno použiť v prostredí s extrémnymi teplotami. A napokon, má výrazne menšiu veľkosť, no dokáže zvládnuť väčší výkon.

HociSiCje vhodný materiál pre výkonové zosilňovače, nie je vhodný pre vysokofrekvenčné aplikácie. Na druhej strane,GaNje preferovaný materiál na stavbu malých výkonových zosilňovačov. Inžinieri však pri kombinovaní čelili výzveGaNs kremíkovými MOS tranzistormi typu P, pretože to obmedzovalo frekvenciu a účinnosťGaN. Aj keď táto kombinácia ponúkala doplnkové možnosti, nebolo to ideálne riešenie problému.

Ako technológia napreduje, výskumníci môžu nakoniec nájsť zariadenia GaN typu P alebo doplnkové zariadenia využívajúce rôzne technológie, s ktorými možno kombinovaťGaN. Do toho dňa všakGaNbudú aj naďalej limitované technológiou našej doby.

Pokrok vGaNTechnológia vyžaduje spoluprácu medzi vedou o materiáloch, elektrotechnikou a fyzikou. Tento interdisciplinárny prístup je nevyhnutný na prekonanie súčasných obmedzeníGaNtechnológie. Ak dokážeme urobiť prelom vo vývoji GaN typu P alebo nájsť vhodné doplnkové materiály, nielenže to zvýši výkon zariadení založených na GaN, ale prispeje aj k širšej oblasti polovodičovej technológie. To by mohlo pripraviť cestu pre efektívnejšie, kompaktnejšie a spoľahlivejšie elektronické systémy v budúcnosti.