Porézny grafit pre rast kryštálov SiC

V súčasnosti väčšina výrobcov substrátov SiC používa nový dizajn procesu tepelného poľa v tégliku s poréznymi grafitovými valcami: medzi grafitovú stenu téglika a porézny grafitový valec sa umiestňujú vysoko čisté časticové suroviny SiC, pričom sa prehlbuje celý téglik a zväčšuje sa priemer téglika. Výhodou je, že pri zvyšovaní vsádzkového objemu sa zväčšuje aj plocha odparovania surovín. Nový proces rieši problém kryštálových defektov, ktoré sú spôsobené rekryštalizáciou vrchnej časti suroviny pri postupujúcom raste na povrchu východiskového materiálu ovplyvňujúceho materiálový tok sublimácie. Nový proces tiež znižuje citlivosť distribúcie teploty v oblasti suroviny na rast kryštálov, zlepšuje a stabilizuje účinnosť prenosu hmoty, znižuje vplyv uhlíkových inklúzií v neskorších štádiách rastu a ďalej zlepšuje kvalitu kryštálov SiC. Nový proces využíva aj bezsemennú metódu fixácie kryštálovej podpory, ktorá sa nelepí na zárodočný kryštál, čo umožňuje voľnú tepelnú expanziu a prispieva k uvoľneniu napätia. Tento nový proces optimalizuje tepelné pole a výrazne zlepšuje účinnosť rozširovania priemeru.

Kvalita a výťažok monokryštálov SiC získaných týmto novým procesom sú silne závislé od fyzikálnych vlastností téglikového grafitu a porézneho grafitu. Naliehavý dopyt po vysokovýkonnom poréznom grafite nielenže robí porézny grafit extrémne drahým, ale spôsobuje aj vážny nedostatok na trhu.

Základné požiadavky na výkonporézny grafit

(1) Vhodná distribúcia veľkosti pórov;

(2) dostatočne vysoká pórovitosť;

(3) Mechanická pevnosť, ktorá spĺňa požiadavky na spracovanie a použitie.

Semicorex ponúka vysokú kvalituporézny grafitčasti. Ak máte akékoľvek otázky alebo potrebujete ďalšie podrobnosti, neváhajte nás kontaktovať.

Kontaktné telefónne číslo +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com