- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Správy
Susceptory potiahnuté SiC v procesoch MOCVD
Susceptory potiahnuté CVD SiC fungujú ako špecializované držiaky plátkov v procesoch kovovo-organického chemického nanášania z plynnej fázy (MOCVD), pričom zohrávajú kľúčovú úlohu pri výrobe polovodičov. Tieto komponenty sú životne dôležité pre udržanie štrukturálnej integrity plátkov počas epitaxie......
Čítaj viac
Homoepitaxia a heteroepitaxia vysvetlená jednoducho
Homoepitaxia a heteroepitaxia zohrávajú kľúčovú úlohu v materiálovej vede. Homoepitaxia zahŕňa rast kryštalickej vrstvy na substráte z rovnakého materiálu, čím sa zaisťujú minimálne defekty vďaka dokonalému prispôsobeniu mriežky. Na rozdiel od toho heteroepitaxia rastie kryštalickú vrstvu na inom ma......
Čítaj viac
