- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Správy z priemyslu
GaN a SiC: koexistencia alebo substitúcia?
Snaha o vyššiu hustotu energie a efektívnosť sa stala hlavnou hnacou silou inovácií vo viacerých odvetviach vrátane dátových centier, obnoviteľnej energie, spotrebnej elektroniky, elektrických vozidiel a technológií autonómneho riadenia. V oblasti materiálov so širokým pásmovým odstupom (WBG) sú v s......
Čítaj viac
Čo je tepelné pole?
V oblasti rastu jednotlivých kryštálov zohráva distribúcia teploty v peci na rast kryštálov rozhodujúcu úlohu. Toto rozloženie teploty, bežne označované ako tepelné pole, je životne dôležitým faktorom, ktorý ovplyvňuje kvalitu a vlastnosti pestovaného kryštálu. Tepelné pole možno kategorizovať do dv......
Čítaj viac
Technológia výroby izostatického grafitu
Technológia izostatického lisovania je kritickým procesom pri výrobe izostatického grafitu, ktorý do značnej miery určuje výkon konečného produktu. Komplexný výskum a optimalizácia výroby izostatického grafitu ako také zostávajú základnými ústrednými bodmi v tomto odvetví.
Čítaj viac
Pokrok vo výskume povlakov TaC na povrchoch materiálov na báze uhlíka
Materiály na báze uhlíka, ako je grafit, uhlíkové vlákna a kompozity uhlík/uhlík (C/C), sú známe svojou vysokou špecifickou pevnosťou, vysokým špecifickým modulom a vynikajúcimi tepelnými vlastnosťami, vďaka čomu sú vhodné pre širokú škálu aplikácií pri vysokých teplotách. . Tieto materiály sú širok......
Čítaj viac
Aké aplikácie substrátu z nitridu gália (GaN)?
Gálium nitrid (GaN) je dôležitý materiál v polovodičovej technológii, známy pre svoje výnimočné elektronické a optické vlastnosti. GaN ako polovodič so širokou pásmovou medzerou má energiu pásma približne 3,4 eV, vďaka čomu je ideálny pre vysokovýkonné a vysokofrekvenčné aplikácie.
Čítaj viac
Technické výzvy v peci na rast kryštálov z karbidu kremíka
Pece na rast kryštálov z karbidu kremíka (SiC) sú základným kameňom výroby doštičiek SiC. Zatiaľ čo zdieľajú podobnosti s tradičnými pecami na rast kremíkových kryštálov, pece SiC čelia jedinečným výzvam v dôsledku extrémnych podmienok rastu materiálu a zložitých mechanizmov tvorby defektov. Tieto v......
Čítaj viac
