Silikónová epitaxia je primárny výrobný proces pre integrované obvody. Umožňuje výrobu zariadení IC na ľahko dotovaných epitaxných vrstvách so silne dotovanými skrytými vrstvami, pričom zároveň vytvára rozšírené PN spojenia, čím sa rieši problém izolácie IC. Silikónové epitaxné doštičky sú tiež prim......
Čítaj viacSuché leptanie je hlavnou technológiou vo výrobných procesoch mikro-elektro-mechanických systémov. Výkon procesu suchého leptania má priamy vplyv na štrukturálnu presnosť a prevádzkový výkon polovodičových zariadení. Na presné riadenie procesu leptania je potrebné venovať veľkú pozornosť nasledujúci......
Čítaj viacAerostatická vodiaca dráha z karbidu kremíka je pokročilý systém vodiacich dráh, ktorý kombinuje materiálové vlastnosti karbidu kremíka a aerostatickú technológiu. Aerostatická dráha z karbidu kremíka, ktorá je optimálnym riešením pre vysoko presné, spoľahlivé a dlhodobé pohybové systémy, je široko ......
Čítaj viacHlavnou metódou prípravy monokryštálov karbidu kremíka je metóda fyzického transportu pár (PVT). Táto metóda pozostáva hlavne z dutiny kremennej trubice, ohrievacieho prvku (indukčná cievka alebo grafitový ohrievač), izolačného materiálu z grafitovej uhlíkovej plsti, grafitového téglika, zárodočného......
Čítaj viacSOI, skratka pre Silicon-On-Insulator, je proces výroby polovodičov založený na špeciálnych substrátových materiáloch. Od svojej industrializácie v 80. rokoch sa táto technológia stala dôležitým odvetvím pokročilých procesov výroby polovodičov. Proces SOI, ktorý sa vyznačuje unikátnou trojvrstvovou ......
Čítaj viac