- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Správy
Silikónové epitaxné vrstvy a substráty vo výrobe polovodičov
V modernej elektronike, optoelektronike, mikroelektronike a informačných technológiách sú polovodičové substráty a epitaxné technológie nevyhnutné. Poskytujú pevný základ pre výrobu vysokovýkonných a spoľahlivých polovodičových zariadení. Ako technológia neustále napreduje, napredujú aj polovodičové......
Čítaj viac
Výhody SiC v priemysle EV
Ako polovodičový materiál so širokou šírkou pásma (WBG), širší energetický rozdiel SiC mu dáva vyššie tepelné a elektronické vlastnosti v porovnaní s tradičným Si. Táto funkcia umožňuje výkonovým zariadeniam pracovať pri vyšších teplotách, frekvenciách a napätiach.
Čítaj viac
Dopingová kontrola pri sublimačnom raste SiC
Karbid kremíka (SiC) hrá dôležitú úlohu pri výrobe výkonovej elektroniky a vysokofrekvenčných zariadení vďaka svojim vynikajúcim elektrickým a tepelným vlastnostiam. Kvalita a úroveň dopingu kryštálov SiC priamo ovplyvňuje výkon zariadenia, takže presná kontrola dopingu je jednou z kľúčových technol......
Čítaj viac
Aplikácie grafitových komponentov potiahnutých TaC
V procese pestovania monokryštálov SiC a AlN fyzikálnou metódou transportu pár (PVT) hrajú dôležitú úlohu komponenty, ako je téglik, držiak očkovacích kryštálov a vodiaci krúžok. Počas procesu prípravy SiC sa zárodočný kryštál nachádza v oblasti s relatívne nízkou teplotou, zatiaľ čo surovina je v o......
Čítaj viac
