Karbid kremíka (SiC) je materiál, ktorý má vysokú energiu väzby, podobne ako iné tvrdé materiály, ako je diamant a kubický nitrid bóru. Vysoká väzbová energia SiC však sťažuje kryštalizáciu priamo do ingotov tradičnými metódami tavenia. Preto proces pestovania kryštálov karbidu kremíka zahŕňa použit......
Čítaj viacPriemysel karbidu kremíka zahŕňa reťazec procesov, ktoré zahŕňajú vytváranie substrátu, epitaxný rast, dizajn zariadenia, výrobu zariadenia, balenie a testovanie. Vo všeobecnosti sa karbid kremíka vytvára ako ingoty, ktoré sa potom krájajú, brúsia a leštia, aby sa vytvoril substrát z karbidu kremíka......
Čítaj viacPolovodičové materiály možno rozdeliť do troch generácií podľa časovej postupnosti. Prvá generácia germánia, kremíka a iných bežných monomateriálov, ktorá sa vyznačuje pohodlným spínaním, všeobecne používaná v integrovaných obvodoch. Druhá generácia arzenidu gália, fosfidu india a iných zložených po......
Čítaj viacKarbid kremíka (SiC) má vďaka svojim vynikajúcim fyzikálno-chemickým vlastnostiam dôležité aplikácie v oblastiach, ako je výkonová elektronika, vysokofrekvenčné RF zariadenia a senzory pre prostredia odolné voči vysokým teplotám. Operácia krájania počas spracovania doštičiek SiC však spôsobuje poško......
Čítaj viacV súčasnosti sa skúma niekoľko materiálov, medzi ktorými vyniká karbid kremíka ako jeden z najsľubnejších. Podobne ako GaN sa môže pochváliť vyšším prevádzkovým napätím, vyšším prierazným napätím a vynikajúcou vodivosťou v porovnaní s kremíkom. Navyše vďaka vysokej tepelnej vodivosti môže byť karbid......
Čítaj viacZatiaľ čo svet hľadá nové príležitosti v oblasti polovodičov, nitrid gália naďalej vyčnieva ako potenciálny kandidát pre budúce energetické a RF aplikácie. Napriek všetkým výhodám, ktoré ponúka, však stále čelí veľkej výzve; neexistujú žiadne produkty typu P (typ P). Prečo je GaN ponúkaný ako ďalší ......
Čítaj viac