- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Správy
Metódy rastu kryštálov AlN
AlN ako polovodičový materiál tretej generácie je nielen dôležitým materiálom pre modré a ultrafialové svetlo, ale aj dôležitým obalovým, dielektrickým izolačným a izolačným materiálom pre elektronické zariadenia a integrované obvody, zvlášť vhodný pre vysokoteplotné a vysokovýkonné zariadenia. . Ok......
Čítaj viac
TaC povlakový téglik na rast kryštálov AlN
Tretia generácia polovodičových materiálov AlN patrí k polovodičom s priamym pásmom, jeho šírka pásma 6,2 eV, s vysokou tepelnou vodivosťou, merným odporom, silou prierazného poľa, ako aj vynikajúcou chemickou a tepelnou stabilitou, nie je len dôležitým modrým svetlom, ultrafialovým materiálom. aleb......
Čítaj viac
Povlaky karbidu tantalu v polovodičovom priemysle
Vývoj vysokovýkonných modrých a UV LED diód umožnil vytvorenie plnofarebných LED TV displejov, ako aj bieleho LED osvetlenia automobilov a domácností. Tieto LED diódy sú založené na nitride gália, ktorý je nanesený na doštičky substrátu podporované grafitovým susceptorom potiahnutým CVD SiC pomocou ......
Čítaj viac
