Nedávno spoločnosť Infineon Technologies oznámila úspešný vývoj celosvetovo prvého 300 mm výkonového gálium nitridového (GaN) plátkového plátku.
Tri primárne metódy používané pri výrobe monokryštalického kremíka sú Czochralského (CZ) metóda, Kyropoulosova metóda a metóda Float Zone (FZ).
Oxidačné procesy zohrávajú rozhodujúcu úlohu pri predchádzaní takýmto problémom vytvorením ochrannej vrstvy na plátku, známej ako oxidová vrstva, ktorá pôsobí ako bariéra medzi rôznymi chemikáliami.
Nitrid kremíka (Si3N4) je kľúčovým materiálom vo vývoji pokročilej vysokoteplotnej štruktúrnej keramiky.
Proces leptania: kremík vs. karbid kremíka
Pri výrobe polovodičov je presnosť a stabilita procesu leptania prvoradá. Jedným kritickým faktorom pri dosahovaní vysokokvalitného leptania je zabezpečenie toho, aby boli oblátky počas procesu na tácke dokonale ploché.