Vývoj 3C-SiC, významného polytypu karbidu kremíka, odráža neustály pokrok vedy o polovodičových materiáloch. V 80. rokoch Nishino a spol. prvýkrát dosiahol 4 μm hrubý 3C-SiC film na silikónovom substráte pomocou chemického naparovania (CVD)[1], čím sa položil základ pre technológiu tenkých vrstiev 3......
Čítaj viacMonokryštálový kremík a polykryštalický kremík majú každý svoje vlastné jedinečné výhody a použiteľné scenáre. Monokryštálový kremík je vhodný pre vysokovýkonné elektronické produkty a mikroelektroniku vďaka svojim vynikajúcim elektrickým a mechanickým vlastnostiam. Na druhej strane polykryštalický ......
Čítaj viacV procese prípravy doštičky existujú dve základné väzby: jedným je príprava substrátu a druhým je implementácia epitaxného procesu. Substrát, doštička starostlivo vyrobená z polovodičového monokryštálového materiálu, sa môže priamo vložiť do procesu výroby doštičiek ako základ na výrobu polovodičový......
Čítaj viacKremíkový materiál je pevný materiál s určitými polovodičovými elektrickými vlastnosťami a fyzikálnou stabilitou a poskytuje substrátovú podporu pre následný proces výroby integrovaného obvodu. Je to kľúčový materiál pre integrované obvody na báze kremíka. Viac ako 95 % polovodičových zariadení a vi......
Čítaj viac