Substráty SiC sú najdôležitejšou zložkou v priemysle karbidu kremíka a predstavujú takmer 50 % jeho hodnoty. Bez substrátov SiC nie je možné vyrábať zariadenia SiC, čo z nich robí základný materiál.
Dummy Wafer je špecializovaný plátok používaný predovšetkým na plnenie strojového zariadenia počas procesu výroby plátku.
Existuje mnoho typov nitridu gália (GaN), pričom najdiskutovanejším je GaN na báze kremíka. Táto technológia zahŕňa pestovanie materiálov GaN priamo na silikónovom substráte.
Americké ministerstvo energetiky (DOE) nedávno potvrdilo pôžičku vo výške 544 miliónov USD spoločnosti SK Siltron, výrobcovi polovodičových doštičiek v rámci SK Group.
Uhlíkové vlákno (CF) je typ vláknitého materiálu, ktorý obsahuje viac ako 95 % uhlíka.