SiC susceptor pre MOCVD

Semicorex je popredný výrobca a dodávateľ SiC susceptora pre MOCVD. Náš produkt je špeciálne navrhnutý tak, aby vyhovoval potrebám polovodičového priemyslu pri raste epitaxnej vrstvy na doštičkovom čipe. Výrobok sa používa ako stredová doska v MOCVD s ozubeným alebo prstencovým dizajnom. Má vysokú tepelnú odolnosť a odolnosť proti korózii, vďaka čomu je ideálny na použitie v extrémnych prostrediach.

Odoslať dopyt

Popis produktu

Náš SiC Susceptor pre MOCVD je produkt najvyššej kvality, ktorý má niekoľko kľúčových vlastností. Zabezpečuje povlak na celom povrchu, zabraňuje odlupovaniu a má odolnosť proti vysokoteplotnej oxidácii, ktorá zaisťuje stabilitu aj pri vysokých teplotách až do 1600 °C. Produkt je vyrobený s vysokou čistotou pomocou CVD chemického nanášania pár za podmienok vysokoteplotnej chlorácie. Má hustý povrch s jemnými časticami, vďaka čomu je vysoko odolný voči korózii spôsobenej kyselinami, zásadami, soľami a organickými činidlami.
Náš SiC susceptor pre MOCVD je navrhnutý tak, aby zaručoval najlepší laminárny vzor prúdenia plynu a zabezpečil rovnomernosť tepelného profilu. Zabraňuje akejkoľvek kontaminácii alebo difúzii nečistôt a zaisťuje vysoko kvalitný epitaxiálny rast na doštičkovom čipe.

Parametre SiC susceptora pre MOCVD

Hlavné špecifikácie povlaku CVD-SIC
Vlastnosti SiC-CVD
Kryštálová štruktúra	FCC β fáza
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdosť	Tvrdosť podľa Vickersa	2500
Veľkosť zrna	μm	2~10
Chemická čistota	%	99.99995
Tepelná kapacita	J kg-1 K-1	640
Teplota sublimácie	℃	2700
Felexurálna sila	MPa (RT 4-bodové)	415
Youngov modul	Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃)	430
Tepelná expanzia (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Tepelná vodivosť	(W/mK)	300

Vlastnosti SiC susceptora pre MOCVD

- Zabráňte odlupovaniu a zabezpečte povlak na celom povrchu
Odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote: Stabilná pri vysokých teplotách až do 1600 °C
Vysoká čistota: vyrobené chemickým nanášaním pár CVD za podmienok chlorácie pri vysokej teplote.
Odolnosť proti korózii: vysoká tvrdosť, hustý povrch a jemné častice.
Odolnosť proti korózii: kyselinám, zásadám, soliam a organickým činidlám.
- Dosiahnite najlepší vzor laminárneho prúdenia plynu
- Zaručiť rovnomernosť tepelného profilu
- Zabráňte šíreniu akejkoľvek kontaminácie alebo nečistôt