Oblátka SICOI

SMEoblátkaje kompozitný polovodičový materiál s trojvrstvovou štruktúrou, ktorý je vyrobený unikátnou metódou.

Spodná vrstva štruktúry plátku SICOI je silikónový substrát, ktorý poskytuje spoľahlivú mechanickú podporu na zabezpečenie štrukturálnej stability plátku SICOI. Jeho optimálna tepelná vodivosť znižuje vplyv akumulácie tepla na výkon polovodičových súčiastok a umožňuje im normálnu prevádzku po dlhú dobu aj pri vysokom výkone. Okrem toho je kremíkový substrát kompatibilný so zariadeniami a strojmi, ktoré sa v súčasnosti používajú pri výrobe polovodičov. To úspešne znižuje výrobné náklady a zložitosť a zároveň urýchľuje výskum a vývoj produktov a hromadnú výrobu.

Izolačná oxidová vrstva, ktorá sa nachádza medzi kremíkovým substrátom a vrstvou zariadenia SiC, je strednou vrstvou plátku SICOI. Izoláciou prúdových ciest medzi hornou a spodnou vrstvou izolačná vrstva oxidu účinne znižuje riziko skratu a zaručuje stabilný elektrický výkon polovodičových zariadení. Vďaka svojej nízkej absorpčnej charakteristike môže výrazne znížiť optický rozptyl a zlepšiť účinnosť prenosu optického signálu polovodičových zariadení.

Vrstva zariadenia z karbidu kremíka je základnou funkčnou vrstvou štruktúry doštičky SICOI. Je nevyhnutný na dosiahnutie vysokovýkonných elektronických, fotonických a kvantových funkcií vďaka svojej výnimočnej mechanickej pevnosti, vysokému indexu lomu, nízkej optickej strate a pozoruhodnej tepelnej vodivosti.

Aplikácie SICOI doštičiek:

1.Na výrobu nelineárnych optických zariadení, ako je optický frekvenčný hrebeň.

2.Na výrobu integrovaných fotonických čipov.

3.Na výrobu elektrooptických modulátorov

4. Na výrobu zariadení výkonovej elektroniky, ako sú vypínače a RF zariadenia.

5.Na výrobu senzorov MEMS, ako je akcelerometer a gyroskop.