Čo je to polovodičový plátok?
Polovodičový plátok je tenký okrúhly plátok polovodičového materiálu, ktorý slúži ako základ pre výrobu integrovaných obvodov (IC) a iných elektronických zariadení. Oblátka poskytuje plochý a rovnomerný povrch, na ktorom sú postavené rôzne elektronické komponenty.
Proces výroby doštičiek zahŕňa niekoľko krokov, vrátane pestovania veľkého monokryštálu požadovaného polovodičového materiálu, krájania kryštálu na tenké plátky pomocou diamantovej píly a následného leštenia a čistenia plátkov, aby sa odstránili akékoľvek povrchové chyby alebo nečistoty. Výsledné doštičky majú vysoko plochý a hladký povrch, ktorý je rozhodujúci pre následné výrobné procesy.
Keď sú doštičky pripravené, podstupujú sériu procesov výroby polovodičov, ako je fotolitografia, leptanie, nanášanie a dopovanie, aby sa vytvorili zložité vzory a vrstvy potrebné na zostavenie elektronických komponentov. Tieto procesy sa opakujú viackrát na jednom plátku, aby sa vytvorili viaceré integrované obvody alebo iné zariadenia.
Po dokončení výrobného procesu sa jednotlivé čipy oddelia nakrájaním plátku pozdĺž vopred definovaných línií. Oddelené čipy sú potom zabalené, aby ich chránili a poskytovali elektrické spojenia na integráciu do elektronických zariadení.
Rôzne materiály na oblátke
Polovodičové doštičky sú primárne vyrobené z monokryštálového kremíka kvôli jeho hojnosti, vynikajúcim elektrickým vlastnostiam a kompatibilite so štandardnými výrobnými procesmi polovodičov. V závislosti od konkrétnych aplikácií a požiadaviek sa však na výrobu doštičiek môžu použiť aj iné materiály. Tu je niekoľko príkladov:
Karbid kremíka (SiC): SiC je širokopásmový polovodičový materiál známy svojou vynikajúcou tepelnou vodivosťou a vysokoteplotným výkonom. SiC doštičky sa používajú vo vysokovýkonných elektronických zariadeniach, ako sú výkonové meniče, invertory a komponenty elektrických vozidiel.
Gálium nitrid (GaN): GaN je polovodičový materiál so širokým pásmovým odstupom s výnimočnými schopnosťami manipulácie s výkonom. Doštičky GaN sa používajú pri výrobe výkonových elektronických zariadení, vysokofrekvenčných zosilňovačov a LED diód (light-emitting diodes).
Arsenid gália (GaAs): GaAs je ďalším bežným materiálom používaným na doštičky, najmä vo vysokofrekvenčných a vysokorýchlostných aplikáciách. Doštičky GaAs ponúkajú lepší výkon pre určité elektronické zariadenia, ako sú RF (rádiofrekvenčné) a mikrovlnné zariadenia.
Indium fosfid (InP): InP je materiál s vynikajúcou pohyblivosťou elektrónov a často sa používa v optoelektronických zariadeniach, ako sú lasery, fotodetektory a vysokorýchlostné tranzistory. InP doštičky sú vhodné pre aplikácie v optickej komunikácii, satelitnej komunikácii a vysokorýchlostnom prenose dát.
Odomknite potenciál špičkových polovodičových aplikácií s naším substrátom Ga2O3, revolučným materiálom v popredí inovácií polovodičov. Ga2O3, polovodič štvrtej generácie so širokým pásmovým odstupom, vykazuje jedinečné vlastnosti, ktoré nanovo definujú výkon a spoľahlivosť napájacieho zariadenia.
Čítaj viacOdoslať dopytSemicorex poskytuje 850 V vysoký výkon GaN-on-Si Epi Wafer. V porovnaní s inými substrátmi pre napájacie zariadenia HMET, 850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer umožňuje väčšie veľkosti a diverzifikovanejšie aplikácie a možno ho rýchlo zaviesť do čipu na báze kremíka bežných tovární. Semicorex je odhodlaný poskytovať kvalitné produkty za konkurencieschopné ceny, tešíme sa, že sa staneme vaším dlhodobým partnerom v Číne.
Čítaj viacOdoslať dopytSi epitaxia je kľúčovou technikou v polovodičovom priemysle, pretože umožňuje výrobu vysokokvalitných kremíkových filmov s prispôsobenými vlastnosťami pre rôzne elektronické a optoelektronické zariadenia. . Semicorex je odhodlaný poskytovať kvalitné produkty za konkurencieschopné ceny, tešíme sa, že sa staneme vaším dlhodobým partnerom v Číne.
Čítaj viacOdoslať dopytSemicorex poskytuje vlastnú tenkú vrstvu HEMT (Galium nitrid) GaN epitaxiu na Si/SiC/GaN substrátoch. Semicorex sa zaviazal poskytovať kvalitné produkty za konkurencieschopné ceny, tešíme sa, že sa staneme vaším dlhodobým partnerom v Číne.
Čítaj viacOdoslať dopytSemicorex poskytuje vlastnú tenkú vrstvu (karbid kremíka) SiC epitaxiu na substrátoch pre vývoj zariadení z karbidu kremíka. Semicorex je odhodlaný poskytovať kvalitné produkty za konkurencieschopné ceny, tešíme sa, že sa staneme vaším dlhodobým partnerom v Číne.
Čítaj viacOdoslať dopytSiN Ceramics Plain Substrates je vysokovýkonný materiál známy svojou tepelnou stabilitou, mechanickou pevnosťou, elektrickou izoláciou, odolnosťou proti korózii a dielektrickými vlastnosťami. Semicorex sa zaviazal poskytovať kvalitné produkty za konkurencieschopné ceny, tešíme sa, že sa staneme vaším dlhodobým partnerom v Číne.
Čítaj viacOdoslať dopyt