AIN substrát

Bezkonkurenčná tepelná vodivosť a elektrická izolácia

Substrát AIN od Semicorex vyniká predovšetkým vďaka svojej výnimočnej tepelnej vodivosti, ktorá je rozhodujúca pre riadenie tepla vo vysokovýkonných elektronických zariadeniach. So štandardnou tepelnou vodivosťou 175 W/m·K a možnosťami vysokej (200 W/m·K) a ultra vysokej tepelnej vodivosti (230 W/m·K) substrát AIN účinne odvádza teplo, čím zaisťuje dlhú životnosť a spoľahlivosť komponentov. V spojení so svojimi silnými elektrickými izolačnými vlastnosťami je AIN Substrát preferovaným materiálom pre podložky, dosky plošných spojov (PCB) a obaly pre vysokovýkonné a vysoko spoľahlivé komponenty, ako aj rozvádzače tepla a rôzne elektronické obvody.

Kompatibilita s kremíkom a tepelnou expanziou

Jednou z výnimočných vlastností substrátu AIN je jeho koeficient tepelnej rozťažnosti (CTE), ktorý sa pohybuje od 4 do 6 x 10^-6/K medzi 20 a 1000 °C. Tento CTE je úzko zhodný s kremíkovým, vďaka čomu je substrát AIN ideálnym materiálom pre polovodičový priemysel a obaly elektronických zariadení. Táto kompatibilita znižuje riziko tepelného namáhania a zabezpečuje bezproblémovú integráciu s komponentmi na báze kremíka, čím sa zvyšuje celkový výkon a spoľahlivosť zariadenia.

Prispôsobenie na splnenie rôznych potrieb

Semicorex ponúka rozsiahle služby prispôsobenia substrátu AIN, čo umožňuje riešenia na mieru, aby vyhovovali špecifickým požiadavkám aplikácie. Či už ide o typ brúsenia, typ okamžitého vypaľovania, vysoký odpor v ohybe, vysokú tepelnú vodivosť, typ leštenia alebo typ laserového ryhovania, Semicorex môže poskytnúť substráty, ktoré sú optimalizované pre požadované výkonové charakteristiky. Táto úroveň prispôsobenia zaisťuje, že klienti dostanú substráty, ktoré presne spĺňajú ich tepelné, mechanické a elektrické potreby.

Všestrannosť v metalizácii a elektronických aplikáciách

Substrát AIN od spoločnosti Semicorex je kompatibilný s rôznymi technikami pokovovania, vrátane priamej pokovovanej medi (DPC), priamej lepenej medi (DBC), tlače na hrubý film, tlače na tenký film a spájkovania aktívnym kovom (AMB). Vďaka tejto všestrannosti je vhodný pre širokú škálu elektronických aplikácií, od vysokovýkonných LED diód a integrovaných obvodov (IC) až po bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom (IGBT) a batérie. Prispôsobivosť substrátu rôznym metódam metalizácie zaisťuje jeho efektívne využitie v rôznych elektronických systémoch.

Možnosti ultratenkého dizajnu

Pre aplikácie, kde sú priestor a hmotnosť kritickými faktormi, Semicorex ponúka substráty AIN s hrúbkou len 0,1 mm. Tento ultratenký dizajn umožňuje vývoj kompaktných a ľahkých elektronických zariadení bez kompromisov v oblasti výkonu alebo spoľahlivosti. Schopnosť vyrábať takéto tenké substráty ďalej rozširuje rozsah aplikácií a zvyšuje flexibilitu dizajnu pre inžinierov a dizajnérov.

Bezpečná a ekologická alternatíva k BeO

V polovodičovom priemysle sa nitrid hliníka čoraz viac používa ako náhrada za oxid berylnatý (BeO) kvôli jeho neškodnosti pri obrábaní. Na rozdiel od BeO, ktorý predstavuje značné zdravotné riziká počas spracovania, AlN je bezpečný pri manipulácii a spracovaní, čo z neho robí ekologickejšiu a bezpečnejšiu alternatívu. Tento posun nielenže zlepšuje bezpečnosť pracovníkov, ale je v súlade aj s prísnejšími environmentálnymi predpismi a cieľmi udržateľnosti.

Vysoká mechanická pevnosť

Mechanická pevnosť substrátu AIN je ďalšou kritickou výhodou. S dvojosovou pevnosťou presahujúcou 320 MPa substrát zaisťuje trvanlivosť a pružnosť pri mechanickom namáhaní. Táto vysoká mechanická pevnosť je životne dôležitá pre aplikácie, ktoré vyžadujú robustné a spoľahlivé materiály, najmä vo vysokovýkonnej elektronike a náročných prevádzkových prostrediach. Odolnosť AIN Substrate prispieva k dlhej životnosti a spoľahlivosti zariadení, v ktorých je použitý.

Široké spektrum aplikácií

Jedinečné vlastnosti substrátu AIN ho robia vhodným pre široké spektrum vysokovýkonných a vysokovýkonných aplikácií:

Vysokovýkonné LED diódy: Výnimočné schopnosti tepelného manažmentu AIN Substrate zaisťujú efektívnu prevádzku a predĺženú životnosť vysokovýkonných LED diód.

Integrované obvody (IC): Elektrická izolácia a tepelná vodivosť substrátu AIN z neho robí ideálnu voľbu pre integrované obvody, čím sa zvyšuje výkon a spoľahlivosť.

Bipolárne tranzistory s izolovanou bránou (IGBT): Schopnosť substrátu zvládnuť vysoké výkonové a tepelné zaťaženie je rozhodujúca pre fungovanie IGBT v rôznych aplikáciách výkonovej elektroniky.

Aplikácie batérií: V batériových technológiách poskytuje AIN Substrát efektívny tepelný manažment, zlepšuje bezpečnosť a výkon.

Piezoelektrické aplikácie: Mechanická pevnosť a tepelné vlastnosti substrátu podporujú vysoko presné piezoelektrické zariadenia.

Vysokovýkonné motory: Tepelná vodivosť a odolnosť substrátu AIN zvyšujú účinnosť a životnosť vysokovýkonných motorov.

Quantum Computing: Presné tepelné riadenie a elektrické izolačné vlastnosti AIN Substrate ho robia vhodným pre pokročilé kvantové počítačové aplikácie.