Proč prokládací listy nahrazují tradiční palety v moderním skladování? - Novinky - Qingdao Yilida Packaging Co., Ltd.

Konzolové pádlo Semicorex vysokej čistoty SiC je vyrobené spoločnosťouKeramika z karbidu kremíka, všeobecne SiSiC. Je to SiC vyrábaný procesom infiltrácie kremíka, procesom, ktorý dávakeramika z karbidu kremíkačasť za vzniku hustej tenkej vrstvy SiC. Hrúbka povlaku je všeobecne 100 ± 20 μm. Po dokončení bude zorganizovaná konečná kontrola výrobkov, pokiaľ ide o vzhľad, čistotu a rozmery výrobkov atď.

Používa sa hlavne pri oxidácii, difúzii, RTA/RTP v procese výroby polovodičov. Atmosféru teda tvorí kyslík (reaktívny plyn), dusík (ochranný plyn) a malé množstvo chlorovodíka. Teplota je približne 1250°C. Ide teda o vysokoteplotné oxidačné prostredie. Vyžaduje sa, aby časť v tomto prostredí bola odolná voči oxidácii a mohla stáť pri vysokej teplote.

Konzolové pádlo Semicorex vysokej čistoty SiC je vyrobené 3D tlačou, ide teda o jednodielny výlisok a môže spĺňať vysoké požiadavky na veľkosť a spracovanie. Konzolová lopatka bude vyrobená z 2 častí, tela a jeho povlaku, Semicorex môže poskytnúť obsah nečistôt <300 ppm pre telo a <5 ppm pre povlak CVD SiC. Povrch je teda mimoriadne čistý, aby sa zabránilo vnášaniu nečistôt a kontaminantov. Tiež materiál s vysokou odolnosťou voči tepelným šokom, aby si zachoval svoj tvar počas dlhej životnosti.

Semicorex vykonáva veľmi hodnotný výrobný proces. Pokiaľ ide o telo SiC, najskôr pripravíme surovinu a zmiešame prášok SiC, potom urobíme formovanie a opracovanie do konečného tvaru, potom spekáme diel, aby sme zlepšili hustotu a mnohé chemické vlastnosti. Vytvaruje sa hlavné telo a vykonáme kontrolu samotnej keramiky a splníme požiadavku na rozmery. Potom vykonáme dôležité čistenie. Vložte kvalifikovanú konzolovú lopatku do ultrazvukového zariadenia na čistenie, aby ste odstránili prach, olej na povrchu. Po vyčistení vložte konzolovú lopatku SiC vysokej čistoty do sušiacej pece a pečte ju pri teplote 80-120°C počas 4-6 hodín, kým voda nevyschne.

Potom môžeme urobiť CVD povlak na tele. Teplota povlaku je 1200-1500 ℃ a zvolí sa vhodná krivka ohrevu. Pri vysokej teplote zdroj kremíka a zdroj uhlíka chemicky reagujú a vytvárajú častice SiC v nanoúrovni. Častice SiC sa kontinuálne ukladajú na povrch

časť za vzniku hustej tenkej vrstvy SiC. Hrúbka povlaku je všeobecne 100 ± 20 μm. Po dokončení bude zorganizovaná konečná kontrola výrobkov, pokiaľ ide o vzhľad, čistotu a rozmery výrobkov atď.