- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Správy
Predstavujeme základnú technológiu grafitovej lode
Graphite Boat, stojí v popredí technologických inovácií vo svojom odvetví, obsahuje sadu prelomových vylepšení navrhnutých na zvýšenie výkonu, čistoty a životnosti. Nižšie sa ponoríme do základných technológií, ktoré definujú dokonalosť grafitových lodí:
Čítaj viac
Porézny grafit pre vysoko kvalitný rast kryštálov SiC metódou PVT
Karbid kremíka (SiC) sa ukázal ako kľúčový materiál v oblasti polovodičovej technológie, ktorý ponúka výnimočné vlastnosti, vďaka ktorým je veľmi žiadaný pre rôzne elektronické a optoelektronické aplikácie. Výroba vysokokvalitných monokryštálov SiC je kľúčová pre napredovanie schopností zariadení, a......
Čítaj viac
3 spôsoby tvarovania grafitu
Štyri hlavné spôsoby tvarovania na tvarovanie grafitu sú: vytláčanie, tvarovanie, vibračné tvarovanie a izostatické tvarovanie. Väčšina bežných uhlíkových/grafitových materiálov na trhu sa lisuje extrúziou a lisovaním za tepla (za studena alebo za tepla) a izostatické lisovanie je metóda s popredným......
Čítaj viac
Čo je izostatický grafit?
Špeciálnym grafitom je grafit s podielom uhlíkovej hmoty väčším ako 99,99 %, známy aj ako „tri vysoko grafit“ (vysoká pevnosť, vysoká hustota, vysoká čistota). Vyznačuje sa vysokou pevnosťou, vysokou hustotou, vysokou čistotou, vysokou chemickou stabilitou, vysokou tepelnou a elektrickou vodivosťou,......
Čítaj viac
Predstavujeme fyzikálny transport pár (PVT)
Vlastné vlastnosti SiC určujú, že rast monokryštálov je ťažší. Vzhľadom na neprítomnosť kvapalnej fázy Si:C=1:1 pri atmosférickom tlaku, zrelší rastový proces prijatý hlavným prúdom polovodičového priemyslu nemožno použiť na pestovanie vyspelejšej metódy rastu - priameho ťahania, klesajúceho téglika......
Čítaj viac
Vydané 850V vysokovýkonné GaN HEMT epitaxné produkty
V novembri 2023 spoločnosť Semicorex uviedla na trh 850 V GaN-on-Si epitaxné produkty pre vysokonapäťové a vysokoprúdové aplikácie výkonových zariadení HEMT. V porovnaní s inými substrátmi pre napájacie zariadenia HMET umožňuje GaN-on-Si väčšie veľkosti plátkov a diverzifikovanejšie aplikácie a môže......
Čítaj viac
