Substrátová doska typu P SiC

Semicorex má kompletný rad produktov doštičiek z karbidu kremíka (SiC), vrátane substrátov 4H a 6H s poloizolačnými doskami typu N, P a vysokej čistoty, môžu byť s alebo bez epitaxie.

Semicorex P-type SiC Substrate Wafer je navrhnutý s dvojitou leštenou povrchovou úpravou, ktorá zaisťuje vynikajúcu rovinnosť a kvalitu povrchu. Táto vlastnosť je rozhodujúca pre zabezpečenie konzistentného a presného nanášania polovodičových materiálov počas výroby zariadenia.

Náš substrát SiC typu P poskytuje vynikajúcu elektrickú vodivosť, vďaka čomu je ideálnym materiálom substrátu pre elektronické zariadenia s vysokou teplotou a vysokým výkonom. Jeho jedinečné vlastnosti mu umožňujú dobre fungovať v drsnom prostredí, vrátane vysokých teplôt, vysokej radiácie a korozívnych podmienok.