PSS leptacia nosná doska pre polovodiče

Semicorex PSS etching Carrier Plate for Semiconductor je špeciálne navrhnutá pre vysokoteplotné a drsné chemické čistiace prostredia potrebné pre epitaxný rast a procesy manipulácie s plátkami. Naša ultra čistá PSS leptacia nosná doska pre polovodiče je navrhnutá tak, aby podporovala doštičky počas fáz nanášania tenkých vrstiev, ako sú MOCVD a epitaxné susceptory, placky alebo satelitné platformy. Náš nosič potiahnutý SiC má vysokú odolnosť voči teplu a korózii, vynikajúce vlastnosti distribúcie tepla a vysokú tepelnú vodivosť. Našim zákazníkom poskytujeme cenovo výhodné riešenia a naše produkty pokrývajú mnohé európske a americké trhy. Semicorex sa teší, že bude vaším dlhodobým partnerom v Číne.

Odoslať dopyt

Popis produktu

PSS Etching Carrier Plate for Semiconductor od Semicorexu je ideálnym riešením pre fázy nanášania tenkých vrstiev, ako je MOCVD, epitaxné susceptory, placky alebo satelitné platformy a spracovanie doštičiek, ako je leptanie. Náš ultračistý grafitový nosič je navrhnutý tak, aby podporoval doštičky a vydržal drsné chemické čistenie a prostredie s vysokou teplotou. Nosič potiahnutý SiC má vysokú odolnosť voči teplu a korózii, vynikajúce vlastnosti rozvádzania tepla a vysokú tepelnú vodivosť. Naše produkty sú cenovo výhodné a majú dobrú cenovú výhodu.

Kontaktujte nás ešte dnes a dozviete sa viac o našej leptacej nosnej doske PSS pre polovodiče.

Parametre leptacej nosnej dosky PSS pre polovodič

Hlavné špecifikácie povlaku CVD-SIC
Vlastnosti SiC-CVD
Kryštálová štruktúra	FCC β fáza
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdosť	Tvrdosť podľa Vickersa	2500
Veľkosť zrna	μm	2~10
Chemická čistota	%	99.99995
Tepelná kapacita	J kg-1 K-1	640
Teplota sublimácie	℃	2700
Felexurálna sila	MPa (RT 4-bodové)	415
Youngov modul	Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃)	430
Tepelná expanzia (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Tepelná vodivosť	(W/mK)	300