RTP RTA SiC potiahnutý nosič

Semicorex je veľký výrobca a dodávateľ grafitových susceptorov potiahnutých karbidom kremíka v Číne. Grafitový susceptor Semicorex navrhnutý špeciálne pre epitaxné zariadenia s vysokou odolnosťou voči teplu a korózii v Číne. Náš nosič RTP RTA SiC Coated Carrier má dobrú cenovú výhodu a pokrýva mnohé z európskych a amerických trhov. Tešíme sa, že sa staneme vaším dlhodobým partnerom.

Odoslať dopyt

Popis produktu

Semicorex dodáva nosič RTP RTA SiC Coated Carrier používaný na podporu doštičiek, ktorý je skutočne stabilný pre RTA, RTP alebo drsné chemické čistenie. RTP RTA SiC potiahnutý nosič s grafitovou konštrukciou potiahnutou vysoko čistým karbidom kremíka (SiC) poskytuje vynikajúcu tepelnú odolnosť, rovnomernú tepelnú rovnomernosť pre konzistentnú hrúbku a odolnosť epi vrstvy a trvácnu chemickú odolnosť. Jemný kryštálový povlak SiC poskytuje čistý, hladký povrch, ktorý je rozhodujúci pre manipuláciu, pretože nedotknuté doštičky sú v kontakte so susceptorom na mnohých miestach po celej svojej ploche.
V spoločnosti Semicorex sa zameriavame na poskytovanie vysokokvalitného, nákladovo efektívneho nosiča RTP RTA SiC Coated Carrier, uprednostňujeme spokojnosť zákazníka a poskytujeme nákladovo efektívne riešenia. Tešíme sa, že sa staneme vaším dlhodobým partnerom, ktorý bude poskytovať vysokokvalitné produkty a výnimočné služby zákazníkom.

Parametre RTP RTA SiC Coated Carrier

Hlavné špecifikácie povlaku CVD-SIC
Vlastnosti SiC-CVD
Kryštálová štruktúra	FCC β fáza
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdosť	Tvrdosť podľa Vickersa	2500
Veľkosť zrna	μm	2~10
Chemická čistota	%	99.99995
Tepelná kapacita	J kg-1 K-1	640
Teplota sublimácie	℃	2700
Felexurálna sila	MPa (RT 4-bodové)	415
Youngov modul	Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃)	430
Tepelná expanzia (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Tepelná vodivosť	(W/mK)	300

Vlastnosti nosiča RTP RTA SiC Coated Carrier

- Grafitový substrát aj vrstva karbidu kremíka majú dobrú hustotu a môžu hrať dobrú ochrannú úlohu vo vysokoteplotných a korozívnych pracovných prostrediach.
- Susceptor potiahnutý karbidom kremíka používaný na rast monokryštálov má veľmi vysokú rovinnosť povrchu.
- Znížte rozdiel v koeficiente tepelnej rozťažnosti medzi grafitovým substrátom a vrstvou karbidu kremíka, účinne zlepšite pevnosť spojenia, aby sa zabránilo praskaniu a delaminácii.
- Grafitový substrát aj vrstva karbidu kremíka majú vysokú tepelnú vodivosť a vynikajúce vlastnosti rozvádzania tepla.
- Vysoká teplota topenia, odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote, odolnosť proti korózii.