Nosič povlaku RTP SiC

Semicorex RTP SiC Coating Carrier ponúka vynikajúcu tepelnú odolnosť a tepelnú rovnomernosť, vďaka čomu je dokonalým riešením pre aplikácie spracovania polovodičových plátkov. S vysokokvalitným grafitom pokrytým SiC je tento produkt navrhnutý tak, aby odolal tomu najtvrdšiemu depozičnému prostrediu pre epitaxný rast. Vysoká tepelná vodivosť a vynikajúce vlastnosti distribúcie tepla zaisťujú spoľahlivý výkon pre RTA, RTP alebo drsné chemické čistenie.

Odoslať dopyt

Popis produktu

Náš nosič RTP SiC Coating Carrier je navrhnutý tak, aby vydržal najťažšie podmienky prostredia nanášania. Vďaka vysokej odolnosti voči teplu a korózii sú epitaxné susceptory vystavené dokonalému depozičnému prostrediu pre epitaxný rast. Jemný kryštálový povlak SiC na nosiči zaisťuje hladký povrch a vysokú odolnosť proti chemickému čisteniu, zatiaľ čo materiál je navrhnutý tak, aby zabránil prasklinám a delaminácii.
V Semicorex sa zameriavame na poskytovanie vysokokvalitného, nákladovo efektívneho nosiča RTP SiC náteru, uprednostňujeme spokojnosť zákazníka a poskytujeme cenovo výhodné riešenia. Tešíme sa, že sa staneme vaším dlhodobým partnerom, ktorý bude poskytovať vysokokvalitné produkty a výnimočné služby zákazníkom.
Kontaktujte nás ešte dnes, aby ste sa dozvedeli viac o našom nosiči povlaku RTP SiC.

Parametre RTP SiC Coating Carrier

Hlavné špecifikácie povlaku CVD-SIC
Vlastnosti SiC-CVD
Kryštálová štruktúra	FCC β fáza
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdosť	Tvrdosť podľa Vickersa	2500
Veľkosť zrna	μm	2~10
Chemická čistota	%	99.99995
Tepelná kapacita	J kg-1 K-1	640
Teplota sublimácie	℃	2700
Felexurálna sila	MPa (RT 4-bodové)	415
Youngov modul	Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃)	430
Tepelná expanzia (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Tepelná vodivosť	(W/mK)	300

Vlastnosti nosiča povlaku RTP SiC

Vysoko čistý grafit potiahnutý SiC
Vynikajúca tepelná odolnosť a tepelná rovnomernosť
Jemný kryštál SiC potiahnutý pre hladký povrch
Vysoká odolnosť proti chemickému čisteniu
Materiál je navrhnutý tak, aby nedochádzalo k prasklinám a delaminácii.