SiC povlak je tenká vrstva na susceptore prostredníctvom procesu chemického nanášania pár (CVD). Materiál z karbidu kremíka poskytuje oproti kremíku množstvo výhod, vrátane 10-násobku intenzity elektrického poľa pri prieraze, 3-násobku šírky pásma, čo poskytuje materiálu odolnosť voči vysokej teplote a chemikáliám, vynikajúcu odolnosť proti opotrebovaniu a tepelnú vodivosť.
Semicorex poskytuje prispôsobené služby, pomáha vám inovovať komponenty, ktoré vydržia dlhšie, skracujú časy cyklov a zlepšujú výnosy.
SiC povlak má niekoľko jedinečných výhod
Odolnosť voči vysokej teplote: Susceptor potiahnutý CVD SiC môže odolať vysokým teplotám až do 1600 °C bez výraznej tepelnej degradácie.
Chemická odolnosť: Povlak z karbidu kremíka poskytuje vynikajúcu odolnosť voči širokému spektru chemikálií, vrátane kyselín, zásad a organických rozpúšťadiel.
Odolnosť proti opotrebovaniu: Povlak SiC poskytuje materiálu vynikajúcu odolnosť proti opotrebovaniu, vďaka čomu je vhodný pre aplikácie, ktoré zahŕňajú vysoké opotrebovanie.
Tepelná vodivosť: Povlak CVD SiC poskytuje materiálu vysokú tepelnú vodivosť, vďaka čomu je vhodný na použitie vo vysokoteplotných aplikáciách, ktoré vyžadujú efektívny prenos tepla.
Vysoká pevnosť a tuhosť: Susceptor potiahnutý karbidom kremíka poskytuje materiálu vysokú pevnosť a tuhosť, vďaka čomu je vhodný pre aplikácie, ktoré vyžadujú vysokú mechanickú pevnosť.
SiC povlak sa používa v rôznych aplikáciách
Výroba LED: Susceptor potiahnutý CVD SiC sa používa pri výrobe rôznych typov LED, vrátane modrej a zelenej LED, UV LED a hlbokého UV LED, vďaka svojej vysokej tepelnej vodivosti a chemickej odolnosti.
Mobilná komunikácia: CVD SiC potiahnutý susceptor je kľúčovou súčasťou HEMT na dokončenie epitaxného procesu GaN-on-SiC.
Spracovanie polovodičov: Susceptor potiahnutý CVD SiC sa používa v polovodičovom priemysle na rôzne aplikácie vrátane spracovania plátkov a epitaxného rastu.
Grafitové komponenty potiahnuté SiC
Vyrobené z grafitu Silicon Carbide Coating (SiC), povlak sa nanáša metódou CVD na špecifické druhy grafitu s vysokou hustotou, takže môže pracovať vo vysokoteplotnej peci s viac ako 3000 °C v inertnej atmosfére, 2200 °C vo vákuu .
Špeciálne vlastnosti a nízka hmotnosť materiálu umožňujú vysokú rýchlosť ohrevu, rovnomerné rozloženie teploty a vynikajúcu presnosť ovládania.
Materiálové údaje Semicorex SiC Coating
Typické vlastnosti |
Jednotky |
hodnoty |
Štruktúra |
|
FCC β fáza |
Orientácia |
zlomok (%) |
111 preferovaný |
Objemová hmotnosť |
g/cm³ |
3.21 |
Tvrdosť |
Tvrdosť podľa Vickersa |
2500 |
Tepelná kapacita |
J kg-1 K-1 |
640 |
Tepelná rozťažnosť 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Youngov modul |
Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃) |
430 |
Veľkosť zrna |
μm |
2~10 |
Teplota sublimácie |
℃ |
2700 |
Felexurálna sila |
MPa (RT 4-bodové) |
415 |
Tepelná vodivosť |
(W/mK) |
300 |
Záver CVD SiC potiahnutý susceptor je kompozitný materiál, ktorý kombinuje vlastnosti susceptora a karbidu kremíka. Tento materiál má jedinečné vlastnosti, vrátane vysokej teploty a chemickej odolnosti, vynikajúcej odolnosti proti opotrebovaniu, vysokej tepelnej vodivosti a vysokej pevnosti a tuhosti. Tieto vlastnosti z neho robia atraktívny materiál pre rôzne vysokoteplotné aplikácie, vrátane spracovania polovodičov, chemického spracovania, tepelného spracovania, výroby solárnych článkov a výroby LED.
Ak potrebujete grafitový susceptor s výnimočnou tepelnou vodivosťou a vlastnosťami distribúcie tepla, nehľadajte nič iné ako Semicorex Inductively Heated Barrel Epi System. Jeho vysoko čistý SiC povlak poskytuje vynikajúcu ochranu vo vysokoteplotnom a korozívnom prostredí, vďaka čomu je ideálnou voľbou pre použitie v aplikáciách výroby polovodičov.
Čítaj viacOdoslať dopytVďaka svojej výnimočnej tepelnej vodivosti a vlastnostiam distribúcie tepla je sudová štruktúra Semicorex pre polovodičový epitaxný reaktor ideálnou voľbou pre použitie v procesoch LPE a iných aplikáciách výroby polovodičov. Jeho vysoko čistý SiC povlak poskytuje vynikajúcu ochranu vo vysokoteplotnom a korozívnom prostredí.
Čítaj viacOdoslať dopytAk hľadáte vysoko výkonný grafitový susceptor pre použitie v aplikáciách výroby polovodičov, Semicorex SiC Coated Graphite Barrel Susceptor je ideálnou voľbou. Jeho výnimočná tepelná vodivosť a vlastnosti distribúcie tepla z neho robia ideálnu voľbu pre spoľahlivý a konzistentný výkon vo vysokoteplotnom a korozívnom prostredí.
Čítaj viacOdoslať dopytVďaka svojmu vysokému bodu topenia, odolnosti voči oxidácii a odolnosti proti korózii je Semicorex SiC potiahnutý kryštálový rastový susceptor ideálnou voľbou pre použitie v aplikáciách rastu monokryštálov. Jeho povlak z karbidu kremíka poskytuje vynikajúcu rovinnosť a vlastnosti distribúcie tepla, vďaka čomu je ideálnou voľbou pre prostredia s vysokou teplotou.
Čítaj viacOdoslať dopytAk potrebujete grafitový susceptor, ktorý dokáže spoľahlivo a konzistentne fungovať aj v tých najnáročnejších vysokoteplotných a korozívnych prostrediach, Semicorex Barrel Susceptor pre epitaxiu v tekutej fáze je dokonalou voľbou. Jeho povlak z karbidu kremíka poskytuje vynikajúcu tepelnú vodivosť a distribúciu tepla, čím zaisťuje výnimočný výkon v aplikáciách výroby polovodičov.
Čítaj viacOdoslať dopytGrafitová hlaveň potiahnutá karbidom kremíka Semicorex je dokonalou voľbou pre aplikácie výroby polovodičov, ktoré vyžadujú vysokú odolnosť voči teplu a korózii. Jeho výnimočná tepelná vodivosť a vlastnosti distribúcie tepla ho predurčujú na použitie v procesoch LPE a iných vysokoteplotných prostrediach.
Čítaj viacOdoslať dopyt