Domov > Produkty > Potiahnutý karbidom kremíka > Sudový prijímač > Odolný sudový susceptor potiahnutý SiC
Odolný sudový susceptor potiahnutý SiC

Odolný sudový susceptor potiahnutý SiC

Vďaka svojej vynikajúcej hustote a tepelnej vodivosti je Semicorex Durable SiC-Coated Barrel Susceptor ideálnou voľbou pre použitie v epitaxných procesoch a iných aplikáciách výroby polovodičov. Jeho vysoko čistý SiC povlak poskytuje vynikajúcu ochranu a vlastnosti distribúcie tepla, vďaka čomu je tou najlepšou voľbou pre spoľahlivé a konzistentné výsledky.

Odoslať dopyt

Popis produktu

Ak potrebujete vysokokvalitný grafitový susceptor s vynikajúcou odolnosťou voči teplu a korózii, nehľadajte nič iné ako Semicorex Durable SiC-Coated Barrel Susceptor. Jeho povlak z karbidu kremíka poskytuje výnimočnú tepelnú vodivosť a distribúciu tepla, čím zaisťuje spoľahlivý a konzistentný výkon aj v tých najnáročnejších prostrediach s vysokou teplotou.
Náš odolný susceptor suda potiahnutý SiC je navrhnutý tak, aby dosiahol najlepší laminárny vzor prúdenia plynu a zabezpečil rovnomernosť tepelného profilu. To pomáha predchádzať akejkoľvek kontaminácii alebo difúzii nečistôt a zabezpečuje vysokokvalitný epitaxiálny rast na doštičkovom čipe.
Kontaktujte nás ešte dnes a dozviete sa viac o našom odolnom sudovom susceptore potiahnutom SiC.


Parametre odolného sudového susceptora potiahnutého SiC

Hlavné špecifikácie povlaku CVD-SIC

Vlastnosti SiC-CVD

Kryštálová štruktúra

FCC β fáza

Hustota

g/cm³

3.21

Tvrdosť

Tvrdosť podľa Vickersa

2500

Veľkosť zrna

μm

2~10

Chemická čistota

%

99.99995

Tepelná kapacita

J kg-1 K-1

640

Teplota sublimácie

2700

Felexurálna sila

MPa (RT 4-bodové)

415

Youngov modul

Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃)

430

Tepelná expanzia (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Tepelná vodivosť

(W/mK)

300


Vlastnosti odolného sudového susceptora potiahnutého SiC

- Grafitový substrát aj vrstva karbidu kremíka majú dobrú hustotu a môžu hrať dobrú ochrannú úlohu vo vysokoteplotných a korozívnych pracovných prostrediach.

- Susceptor potiahnutý karbidom kremíka používaný na rast monokryštálov má veľmi vysokú rovinnosť povrchu.

- Znížte rozdiel v koeficiente tepelnej rozťažnosti medzi grafitovým substrátom a vrstvou karbidu kremíka, účinne zlepšite pevnosť spojenia, aby sa zabránilo praskaniu a delaminácii.

- Grafitový substrát aj vrstva karbidu kremíka majú vysokú tepelnú vodivosť a vynikajúce vlastnosti rozvádzania tepla.

- Vysoká teplota topenia, odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote, odolnosť proti korózii.




Hot Tags: Odolný hlavňový susceptor potiahnutý SiC, Čína, Výrobcovia, Dodávatelia, Továreň, Na mieru, Hromadné, Pokročilé, Odolné
Súvisiaca kategória
Odoslať dopyt
Neváhajte a zadajte svoj dopyt vo formulári nižšie. Odpovieme vám do 24 hodín.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept