Sudový susceptor potiahnutý SiC

SemicorexSudový susceptor potiahnutý SiCje grafitový nosič potiahnutý SiC s vysokou čistotou, ktorý sa v procese používa na rast epitaxnej vrstvy na doštičkovom čipe, ktorý je vhodný pre mnohé epitaxné reaktory. Má vysokú tepelnú a koróznu odolnosť, ktorá má veľkú stabilitu v extrémnom prostredí.
nášS povlakom SiCBarrel Susceptor je tiež odolný voči vysokoteplotnej oxidácii a korózii, čo z neho robí spoľahlivý a odolný produkt. Jeho vysoký bod topenia zaisťuje, že dokáže odolávať vysokoteplotnému prostrediu potrebnému na efektívnu výrobu polovodičov.
Kontaktujte nás ešte dnes a dozviete sa o nás viacS povlakom SiCSudový prijímač

ParametreS povlakom SiCSudový prijímač

VlastnostiS povlakom SiCSudový prijímač

- Zabráňte odlupovaniu a zabezpečte povlak na celom povrchu

Odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote: Stabilná pri vysokých teplotách až do 1600 °C

Vysoká čistota: vyrobená chemickou depozíciou pár CVD za podmienok chlorácie pri vysokej teplote.

Odolnosť proti korózii: vysoká tvrdosť, hustý povrch a jemné častice.

Odolnosť proti korózii: kyselinám, zásadám, soliam a organickým činidlám.

- Dosiahnite najlepší vzor laminárneho prúdenia plynu

- Zaručiť rovnomernosť tepelného profilu

- Zabráňte šíreniu akejkoľvek kontaminácie alebo nečistôt