Reaktorový systém s kvapalnou fázou epitaxie (LPE).

Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reactor System je inovatívny produkt, ktorý ponúka vynikajúci tepelný výkon, rovnomerný tepelný profil a vynikajúcu priľnavosť povlaku. Jeho vysoká čistota, odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote a odolnosť proti korózii z neho robia ideálnu voľbu pre použitie v polovodičovom priemysle. Jeho prispôsobiteľné možnosti a nákladová efektívnosť z neho robia vysoko konkurencieschopný produkt na trhu.

Odoslať dopyt

Popis produktu

Náš reaktorový systém s kvapalnou fázou epitaxie (LPE) je vysoko spoľahlivý a odolný produkt, ktorý poskytuje vynikajúcu hodnotu za peniaze. Jeho odolnosť proti vysokoteplotnej oxidácii, rovnomerný tepelný profil a zabránenie kontaminácii ho predurčujú na kvalitný rast epitaxnej vrstvy. Jeho nízke nároky na údržbu a prispôsobiteľnosť z neho robia vysoko konkurencieschopný produkt na trhu.

V Semicorex sa zameriavame na poskytovanie vysokokvalitných a cenovo výhodných produktov našim zákazníkom. Náš reaktorový systém s kvapalnou fázou epitaxie (LPE) má cenovú výhodu a vyváža sa na mnohé európske a americké trhy. Naším cieľom je byť vaším dlhodobým partnerom, ktorý poskytuje produkty konzistentnej kvality a výnimočné služby zákazníkom.

Kontaktujte nás ešte dnes a dozviete sa viac o našom reaktorovom systéme s kvapalnou fázou epitaxie (LPE).

Parametre systému reaktora s kvapalnou fázovou epitaxou (LPE).

Hlavné špecifikácie povlaku CVD-SIC
Vlastnosti SiC-CVD
Kryštálová štruktúra	FCC β fáza
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdosť	Tvrdosť podľa Vickersa	2500
Veľkosť zrna	μm	2~10
Chemická čistota	%	99.99995
Tepelná kapacita	J kg-1 K-1	640
Teplota sublimácie	℃	2700
Felexurálna sila	MPa (RT 4-bodové)	415
Youngov modul	Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃)	430
Tepelná expanzia (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Tepelná vodivosť	(W/mK)	300

Vlastnosti systému kvapalnej fázy epitaxie (LPE) reaktora

- Grafitový substrát aj vrstva karbidu kremíka majú dobrú hustotu a môžu hrať dobrú ochrannú úlohu vo vysokoteplotných a korozívnych pracovných prostrediach.

- Susceptor potiahnutý karbidom kremíka používaný na rast monokryštálov má veľmi vysokú rovinnosť povrchu.

- Znížte rozdiel v koeficiente tepelnej rozťažnosti medzi grafitovým substrátom a vrstvou karbidu kremíka, účinne zlepšite pevnosť spojenia, aby sa zabránilo praskaniu a delaminácii.

- Grafitový substrát aj vrstva karbidu kremíka majú vysokú tepelnú vodivosť a vynikajúce vlastnosti rozloženia tepla.

- Vysoká teplota topenia, odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote, odolnosť proti korózii.